1楼：匿名用户
如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选mos管。三极和一般工作**性区，比如做一些线性电源。mos管就要工作在完全开通状态。
mos管最关键的几个参数：ds电流、sd之间的耐压、gs的开启电压、输入电容、导通电阻、热阻，mos管开通太快容易产生emi干扰，开通过慢又会增加功耗，驱动电路要仔细设计。
三极管最关键的几个参数：放大倍数（要保证饱和导通需求的基极电流）、ce极电流、ce极耐压、ce开通后的压降
mos管适合并联，三极管不行
2楼：匿名用户
作为电子开关用，mos管内阻比较小，自身发热量很小，通过电流值可以很大。
三极管内阻比较大，会发热，电流大了，需要加散热器不然会烧掉
3楼：三河陈振国
电压驱动时用mos管，电流驱动时用三极管。
mos管驱动时，考虑开关电流和跨导；
三极管驱动时。考虑开关电流和β值。
4楼：匿名用户
一般看你电路里面需要流过多大的电流。mos管电流比较大。另外一个就是看**。一般贴片三极管比较便宜。
三极管和mos管在做开关电源电路设计中如何区别及选用
5楼：悠悠__3瑬
分成npn和pnp两种。我们仅以npn三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。
我们把从基极b流至发射极e的电流叫做基极电流ib;把从集电极c流至发射极e的电流叫做集电极电流 ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极e上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：
集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流ib的变化，ib的变化被放大后，导致了ic很大的变化。
三极管是电流控制型器件。
mos管是金属(metal)氧化物(oxid)半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。mos管的源(source)和漏(drain)是可以对调的，他们都是在p型backgate中形成的n型区。
在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
当mos电容的栅极(gate)相对于衬底(backgate)正偏置时发生的情况。穿过gate dielectric的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。
随着gate电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像n型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做沟道(channel)。
随着gate电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。channel形成时的电压被称为阈值电压vt。当gate和backgate之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。
所以mos是电压控制型器件。
(1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
(2)场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
(5)场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于开关电源及各种电子设备中。尤其用场效管做开关电源的功率驱动，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
(6)场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
三极管bjt与场效应管fet的区别很多，简单列出几条：
1.三极管用电流控制，mos管属于电压控制，bjt放大电流，fet将栅极电压转换为漏极电流。bjt第一参数是电流放大倍数β值，fet第一参数是跨导gm;
2.驱动能力：mos管常用来电源开关管，以及大电流地方开关电路;
3.成本问题：三极管便宜，mos管贵;
4.bjt线性较差，fet线性较好;
5.bjt噪声较大，fet噪声较小;
6.bjt极性只有npn和pnp两类，fet极性有n沟道、p沟道，还有耗尽型和增强型,所以fet选型和使用都比较复杂;
7.功耗问题：bjt输入电阻小，消耗电流大，fet输入电阻很大，几乎不消耗电流;
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制;mos管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
三极管，mos管，达林顿管都有开关的作用。当作为开关元件选择时，三者如何选择？谢谢啦！
6楼：靳溪黎
三极管和达林顿管都是电流型驱动,mos管是电压型驱动.另mos导通电阻小.适合在高频开关上用.开关损耗小.
7楼：匿名用户
三极管：线性好
mos管：高输入阻抗，放大倍数高，响应快
达林顿管：超大功率
各有优势，看怎么用了
8楼：望尽路
达林顿管是用作
驱动的，比如驱动继电器的开合。三极管和mos管都可以用作一般数字电路的开关。但是三极管不如mos管。
mos没有二次击穿。可靠性比较好(如果你的生产工艺对静电控制较好的化)。另外mos管为电压控制器件，可以驱动更大的负载，耗电小。
动作快。
9楼：吾生独爱陈
靳溪黎 说到了点子上。
三极管和mos管做开关用时候有什么区别
10楼：红妆对镜残
1、工作性质：三极来管用
自电流控制，mos管属于电压控制，bai
1、成本问题：三极du管便宜，mos管贵。zhi2、功耗问题dao：三极管损耗大。
3、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
mos管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑mos管ttl中用三极管，ttl能驱动mos，mos不能驱动ttl一个最简单的理解，你打开了mos，电平不会改变，你打开了bjt，电平变了0.7v了，就不能再去控制别的地方了
你说的不是很了解,可以具体讲讲吗?
3v，导通后基极的电平是否被拉低到0.7v了。因此为了避免驱动端的电平被拉低，一般都在基极串已电阻。
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