1楼：立深鑫电子
在所有半导体元件中, 箭头的意义表示p-n结的方向.
这一传统记号是从二极管传下来的.
上**释 (先做个声明: 红色代表p型半导体, 蓝色代表n型半导体):
n-channel-jfet:
好的我知道你们要问为啥我的箭头在中间, 题主的箭头在边上!
我们给它上个电...
:n-channel-jfet (biased):
你看, 漏极和栅极之间的pn结是不是没了?
对应:再来看看enhanced mosfet:
n 沟道:
对应：p沟道：对应：
三极管中，箭头方向表示电流方向，mos管中，箭头方向指的是什么，跟电流有方向有关系么？
2楼：匿名用户
mos场效应管图形符号的箭头也是表示电流反向的，mos场效应管有p型沟道和n型沟道两种。
mos管符号中间那个带箭头的线和s极相连和不连时区别是什么?
3楼：吾生独爱陈
那条线接到衬底上，也就是s极跟衬底相连。其实d极跟s极结构都是一样的，衬底接d极或s极效果都一样，但是业界都接s极上。实际应用中，mos管衬底和s极都是相连的。
三极管符号中间的箭头方向是p->n，而mos则正好相反，请大侠赐教是为什么，谢谢。
4楼：匿名用户
在三极管中就是由p指向n的，在mos由于只有一种材料，但也是符合这个规律的，n型材料的箭头指向n，p型材料的箭头背向p，你仔细看下。
mos管的源极和漏极有什么区别
5楼：四舍**入
一、指代不同
1、源极：简称场效应管。t仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少ic内部的驱动，或驱动比芯片电源电压高的负载。
二、原理不同
1、源极：在一块n型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的p型区（用p+表示），就形成两个不对称的p+n结。把两个p+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在n型半导体的两端各引出一个电极。
2、漏极：将两个p区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在n型硅片两端各引出一个电极。
6楼：匿名用户
1、区别：源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极(drain)drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。
2、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。mos管的source和drain是可以对调的，他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。
这样的器件被认为是对称的。
7楼：血刺废车
mos管的定义：场效应管的结构是在一块n型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的p型区域，用p+表示，形成两个p+n结。n型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极d和源极s。
把两边的p区引出电极并连在一起称为栅极g。如果在漏、源极间加上正向电压，n区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极s出发， 流向漏极d。
电流方向由d指向s，称为漏极电流id.。由于导电沟道是n型的，故称为n沟道结型场效应管。
场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。
但是有的绝缘栅场效应管在制造产品
时已把源极和衬底连接在一起了
，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况p衬底接低电位，n衬底接高电位。
8楼：匿名用户
对于绝缘栅nmos管，接高压为漏端，接低压为源端。pmos刚好相反。从原理上，nmos载流子是电子，由低电压处提供，所以低压端称源端，pmos载流子是空穴，由高压处提供，所以高压端称源端。
9楼：一栀穿雲箭
源极: 引入载流子
漏极: 漏出载流子
mos管怎么区分n沟道和p沟道呢？
10楼：薇薇的笨猪
mos管导通的时候，沟道是什么类型的就是什么沟道，比如源漏都是n型的，那么mos管要导通，沟道必须也是n型的才能把源漏连接起来进行导电，所以最简单的判断就是看源漏是什么类型掺杂的，就是什么类型的沟道。当然上面说的这些是针对你初学半导体器件时候知道器件截面图时用来判断的，如果是实际的产品的话，就看栅压是加正压mos管能导通，还是栅压加负压能导通，如果加正压能导通的就是n沟道mos管，如果加负压能导通的就是p沟道mos管了
11楼：热血蓝孩
找本模电的教材看看就知道了。简单的说就是看漏极d和源极s导通时栅极g的驱动电压是正的还是负的，可以用指针式万用表判别出来。