1楼：升龙国际噢输给
在半导体物理中电子的迁移率与哪些因素有关
迁移率和单位载流子的电荷量、载流子的平均自由时间和载流子有效质量有关.迁移率=电荷量乘自由时间除有效质量.平均自由时间是指载流子受晶格两次散射中间的时间,即外电场下自由加速的时间
想找个上班时间短点的，自由时间多，有什么工作啊
2楼：匿名用户
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3楼：匿名用户
那就钱少，可以试试兼职，应该会符合你的要求！
4楼：匿名用户
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6楼：叔寂掀甥
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7楼：匿名用户
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从能带角度解释为什么电子的有效质量绝对值小于空穴，而迁移率高于空穴。
8楼：匿名用户
有效质量的**是我们将带底附近的载流子能量做了简谐近似。也就是我们把载流子的能量对波矢k做级数展开，并保留到第二项。由于第一项是e对k的斜率为0；而在带底这个第二项，包含两个部分，一个是能量e对波矢k的二阶微分，还有一个波矢k的平方。
我们知道波矢k又是和动量p正比，因此现在这个方程看起来就是一个系数乘上动能的平方，很像我们平时对动能的定义，于是我们就做了一个类比，将前面的那个e对k的二阶微分的导数类比于质量，这就是有效质量。
简而言之，有效质量是我们在能量理论下做的一个类别，其直接的结论是有效质量与能带的曲率成反比。而导带的曲率比价带大，因此电子有效质量比空穴小。从物理角度上讲，价带电子近似自由，收到的散射和舒服更小；而空穴依旧受到原子核的束缚。
在同样的外力作用下，电子看起来会比空穴轻。
迁移率正比于载流子运动的平均自由时间，也正比于平均速度，因此反比于有效质量。更科学的解释同上，因为空穴运动时受到的束缚和散射比电子更多，因此他的迁移率没有电子大
9楼：匿名用户
好像我也该去复习量子力学了···
发光二极管的发光区为什么在p区？
10楼：匿名用户
发光二极管的发光区为什么在p区？这必须从其发光原理说起。
一。发光二极管的发光机理
1.p-n结电子注入发光
p-n结未知电压是构成一定的势垒；当加正向偏置时势垒下降，p区和n区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率μ比空穴迁移率大得多，出现大量电子向p区扩散，构成对p区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的形式释放。
这就是p-n结发光的原理。
发光的波长或频率取决于选用的半导体材料的能隙eg。如eg的单位为电子伏（ev）,
eg=hv/q=hc/(λq)
λ=hc/(qeg)=1240/eg (nm)
半导体可分为置接带隙和间接带隙两种，发光二极管大都采用直接带隙材料，这样可使电子直接从导带跃迁到价带与空穴复合而发光，有很高的效率。反之，采用间接带隙材料，其效率就低一些。下表列举了常用半导体材料及其发射的光波波长等参数。
2．异质结注入发光
为了提高载流子注入效率，可以采用异质结。n区的电子注入p区的速率却较小。这样n区的电子就越迁到价带与注入的空穴复合，而发射出由n型半导体能隙所决定的辐射。
由于p取得能隙大，光辐射无法把点自己发到导带，因此不发生光的吸收，从而可直接透射处发光二极管外，减少了光能的损失。
3.发光强度分布
发光二极管的幅通量是集中在一定角度内发射出去的。
11楼：匿名用户
半导体发光二极管(led)是在半导体p-n结或类似的结构中通以正向电流，以高效率发出可见光或红外辐射的器件。由于它发射准单色光、尺寸小、寿命长和廉价，因此被广泛用作仪表的指示器、光电耦合器和光学仪器的光源等领域。
一、发光二极管的发光机理
1.p-n结电子注入发光
图1、图2表示p-n结未知电压是构成一定的势垒；当加正向偏置时势垒下降，p区和n区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率μ比空穴迁移率大得多，出现大量电子向p区扩散，构成对p区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的形式释放。
这就是p-n结发光的原理。
发光的波长或频率取决于选用的半导体材料的能隙eg。如eg的单位为电子伏（ev）,
eg=hv/q=hc/(λq)
λ=hc/(qeg)=1240/eg (nm)
半导体可分为置接带隙和间接带隙两种，发光二极管大都采用直接带隙材料，这样可使电子直接从导带跃迁到价带与空穴复合而发光，有很高的效率。反之，采用间接带隙材料，其效率就低一些。下表列举了常用半导体材料及其发射的光波波长等参数。
3．异质结注入发光
为了提高载流子注入效率，可以采用异质结。图4表示未加偏置时的异质结能级图，对电子和空穴具有不同高度的势垒。图5表示加正向偏置后，这两个势垒均减小。
但空垒的势垒小得多，而且空穴不断从p区向n区扩散，得到高的注入效率。n区的电子注入p区的速率却较小。这样n区的电子就越迁到价带与注入的空穴复合，而发射出由n型半导体能隙所决定的辐射。
由于p取得能隙大，光辐射无法把点自己发到导带，因此不发生光的吸收，从而可直接透射处发光二极管外，减少了光能的损失。
发光二极管与半导体二极管同样加正向电压，但效果不同。发光二极管把注入的载流子转变成光子，辐射出光。一般半导体二极管注入的载流子构成正向电流。应严格加以区别。
二、发光二极管的特性
1． 效率
发光二极管的效率可以用电光源的常用术语来表征，即对红外光采用辐射效率ηe,对可见光则用发光效率ηl.但是也有用内量子效率ηqi和外量子效率ηqe来表征的；
ηqi=nt/g
公式中nt为辐射复合产生光子的效率，g为注入的电子空穴对书。这样ηqi等于注入每个电子空穴对在半导体内所发生的光子数，最高可接近100%。
ηqe=nt/g
公式中，nt为从发光二极管输出光子的效率。这样qei等于注入每个电子空穴对所产生的输出器件外的有效光子数，一般只有0.01----13%。
发射红外的ηqe可达15%，而绿光ηqe,下降到1%以下。
使外量子效率显著下降的主要原因是半导体本身的吸收，是光从半导体射入空气时的反射损失和全反射损失造成的。例如gaas的折射率n=3.6，反射损失为32%，用图6所示结构的全反射损失为96%，出射的光只有百分之几。
采用图7的结构，全反射损失大为减少。目前常用透明树脂替代图7的球型部分，以降低成本。
2． 光的光谱分布
对大多数半导体材料来说，由于折射率较大，在光逸出半导体之前，往往以经过多次反射，由于短波光比长波光易于吸收，所以峰值波长所对应的光子能量比带隙eg小些。例如，gaas发射的峰值波长所对应的光子能量为1.1ev，比室温下的带隙eg小0.
3ev。改变gaas1-xpx中的x值，峰值波长在620---680nm范围内变化。谱线半宽度为200-300a。
由此可知，发光二极管提供的是半宽度很大的单色光。
由于半导体的能隙温度的上升而减小，因此它所发射的峰波长随温度的上升而增长，温度系数约为2-3a/°c。
3.发光强度分布
一种在gap基片上生成gaasp的发光二极管的发光分布温度如图8所示，谱线宽度为400a，发射的角度宽度约为22°，500μw/sr。总之，发光二极管的幅通量是集中在一定角度内发射出去的。
4．光出射度
图9表明几种半导体p-n结发射的光出射度与输入电流的关系。可见，gaas1-xpx和ga1-xalxas，半导体发光管具有良好的线性，其他两种则相当差。图10表明发光二极管输出的光通量强烈地依赖环境温度，使用时必须加以考虑。
5．响应时间
发光二极管的响应时间是标志反应速度的一个重要参数，尤其在脉冲驱动或电调制时显得非常重要。响应时间是指注入电流后发光二极管启亮（上升）和熄灭（衰减）的时间。发光二极管的上升时间随着电流的增大近似的成指数地衰减。
直接跃迁的材料如(gaas1-xpx)的响应时间仅几个ns，而间接跃迁材料（如gap）的响应时间则是100ns。
发光二极管可利用交流供电或脉冲供电获得调制光或脉冲光，调制频率可高达几十兆赫。这种直接调制技术使发光二极管在相位测距仪、能见度仪及短距离通讯中得到应用。
6．寿命
发光二极管的寿命一般很长，电流密度小于1a/cm2的情况下，寿命可达1000000小时，即可连续点燃一百多年。这是任何光源均无法与它竞争的。发光二极管的亮度随着工作时间的加长而衰退，这就是老化。
老化的快慢与电流密度j和老化时间常数r有关。
目前限于工艺水平，发光二极管发射的幅通量（功率）只有微瓦、毫瓦级，几十毫瓦的已很少见。随着大功率器件的出现，其应用的领域将会日益扩大。
12楼：冀客
都啥年代了，还p区发光。
现在的led绝大多数都是多量子阱结构的，量子阱本身不掺杂，两边分别是p区和n区，电子空穴对在不掺杂的量子阱层内复合发光。
迁移率的物理意义是什么？它由什么因素决定
13楼：枫林狼
迁移率是单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率。迁移率与载流子的有效质量和散射概率成反比。
载流子的有效质量与材料有关，不同的半导体中电子有不同的有效质量。如硅中电子的有效质量为0.5m0（m0是自由电子质量），砷化镓中电子的有效质量为0.
07m0。空穴分重空穴和轻空穴，它们具有与电子不同的有效质量。半导体中载流子在低温下主要受到缺陷和杂质的散射，高温下主要受到由原子晶格振动产生的声子的散射。
散射越强，迁移率越低。
为什么镁离子和钠离子不等价， 但是镁离子水溶液跟钠离子水溶液的迁移率相似？
14楼：孤独的狼
因为两者元素不同，所以不可能等价。
迁移率是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。它的单位是厘米/（伏·秒）。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率。
迁移率与载流子的有效质量和散射概率成反比。迁移率是表征半导体的一个重要参数。迁移率越大，器件的运行速度越快，截止频率就越高。
溶液中带电粒子在电场e中向着相异电荷的电极移动，它的移动速度v是电场e和粒子的有效迁移率m的乘积，即v=me，由此导出有效迁移率m=v/e。
迁移率的影响因素：
迁移率和单位载流子的电荷量、载流子的平均自由时间和载流子有效质量有关.迁移率=电荷量乘自由时间除有效质量.平均自由时间是指载流子受晶格两次散射中间的时间,即外电场下自由加速的时间.
离子迁移率是一种产生离子质谱信息的方法，包括下列步骤：产生气态离子团；沿第一轴及时分离气态离子团，形成多个离子组，各离子组具有与其相关的单一离子迁移率；沿垂直于第一轴的第二轴顺序地及时分离至少一些离子组，形成多个离子小组，各离子小组具有与其相关的单一离子质量；和处理至少一些离子小组，由此确定质量的特定信息。
从上可以看出：迁移率与元素的种类无关，只与离子所带的电荷量以及自由时间有关