1楼：匿名用户
在晶体三极管中,发射结正偏,集电结也正偏,集电极电流不受基极电流控制的区域,就是晶体管饱内和区。容
在此区域内，vceic，vce≈0.3v 。
扩展资料饱和导通
当加在三极管发射结的电压大于pn结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。
2楼：匿名用户
饱和是指电流饱和。
三极管具有放大作用就量指当基极电流有小的变化时回会使集电极答电流产生大的变化，集电极电流是随着基极电流的增大而增大的，但是当集电极电流增大到一定程度时，再增加基极电流，集电极电流不再增加了，这种现象就叫做饱和。
饱和并不是击穿，三极管进入饱和区时，三极管上电压很低，一般三极管的饱和电压小于1v。
至于为什么要叫饱和得要从三极管的结构和放大原理开始了，请参阅有关资料。
3楼：1阿里阿
我觉得你理解的不对抄。在饱和区，集bai电极电流ic＜阝duxib，而且随着ib增大，ic不再增大，说明zhiic已经达到了它的dao最大值，所以说它饱和了。但这个时候通常uce比较小，说明集电区收集电子能力比较弱，所以集电极电流不能再增大。
4楼：匿名用户
我认为饱和区的“饱和”是针对于基极中的空穴而言的。在这个区域中，大量非平衡少回子答由于发射结处于正偏(ube>uth)进入基极，对于基极中的空穴来说，数量很大，空穴没有办法全部消耗，滞留在基极中，又因为集电极处于正偏(uce 5楼：匿名用户 饱和的定义是：集电结和发射结同时正向偏置，这种情况称为饱和。 此时，随着回vce的增大，集电结正答向偏置电压就会逐渐减小，集电结n区的电子向p扩散的能力逐渐减弱，而发射结n区的电子正源源不断地通过基区漂移到集电结的n区，于是净流入集电结n区的电子逐渐增多，即随着vce的增大，ic逐渐增大。 当vce增大到vbe时，此时，集电结两边电压相等，随着vce增大的继续增大，集电结开始反向偏置，于是进入放大区，反向偏置之后，集电结只有很小很小并且稳定几乎稳定不变的反向饱和电流通过，对发射结n区的电子正源源不断地通过基区漂移到集电结，没有什么影响，所以此时ic完全由ib决定.与vce无关。 当然如果vce增大到30v就会发生雪崩击穿，如果还在继续增大，就会发生热击穿，烧掉三极管。 6楼：流星★藩 是指电流饱和 当电流达到三极管的最大允许点流时三极管已经满载，称之为饱和， 当电流超过饱和时就会击穿 7楼：匿名用户 饱和指的是bai集电极电源无法为du 集电极电流提供继续增大zhi 的能量的dao状态。回 如图所示，当基极电压增答大，会导致基极电流增加，在晶体管工作在放大状态时，集电极电流与基极电流成β倍数关系，ic=β*ib，而集电极电流所需能量由vcc提供，当基极电流增大到某个值，集电极电流达到vcc可以提供的电流的上限(vcc-uces)/r1，这时，即使基极电流继续增大，集电极电流也无法继续增大，这种状态叫做饱和。 对于三极管饱和状态的理解 8楼：匿名用户 你的理解没有错抄误，理解到这袭种程度已经下了功夫了。但确实还有一点问题，主要在于： 1、过于在意“极电结正偏”了。其实，在饱和区，即便是极电结正偏，也还没有达到极电结的正向导通电压。不过，一般人都会被“正偏”误导。 2、饱和的含义：集电极电流是随着基极电流的增大而增大的，当集电极电流增大到一定程度时，再增加基极电流，集电极电流不再随着增加了，这种现象就叫做饱和。而“三极管如工作在饱和状态，那么就是双结正偏”是现象或因果关系，也不算解释。 饱和的实质正是由于集电结正偏而使ic脱离了与ib的线性关系（请复习三极管构造）。 3、三极管的饱和状态，是包括ic趋于0的状态的，这一点请自已体会、理解。 4、通过给三极管发射结加上正向导通偏压，同时给集电结加上正偏，三极管一定是在饱和区（一定不在放大区，包含ic为零的情形）。 以上这些关键点，补课也补不来的。当然，不学的人也看不到这个问题。 9楼：匿名用户 首先要弄清饱和是什么意思？（以下默认三极管工作时发射结都是正偏的，非专截止） 对npn型管子来说属 ，饱和就是指单位时间内发射极发送过来的电子太多了，这些电子越过基区，在被集电极收集时供过于求了，集电极在单位时间内收集不完这些电子，只能用它最大的速度去收集，这个最大收集速度就是集电极饱和电流。 对于同一个管子，集电极收集电子的能力取决于集电结的电压ucb（就是uc-ub）， （1）如果ucb是0或者是负值，那么集电极收集电子的能力就很差，只能靠由电子浓度差形成的扩散来收集，这时基电极输入电流ib，发射极发过来一坨电子，此时集电极靠电子浓度差单位时间是收集不完电子的，就差出现饱和了。 (2）如果ucb大于0且是个固定的值，那么集电极具有一定的收集电子能力，这时如果基极电流ib不是很大，集电极都可以从容应对，不会饱和。但如果ib很大，那么在这个ucb作用下的集电极就有可能单位时间收集不完发射极投送到基区的电子而出现饱和，这时候增大ucb可以提升集电极收集电子能力，解决饱和问题。 10楼：鱼骨 感想:射极保证正偏下，基极电流的流入，会拉动集电极相对基极的电压，从而会拉动集电极正反偏的走向，从而产生的饱和，临界，放大 11楼：吾皇黑马 1.在实际工作中，常用ib*β=v/r作为判断临界饱和的条件。根据ib*β=v/r算出的ib值，只是使专晶体管进属入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 2.集电极电阻 越大越容易饱和； 3.饱和区的现象就是：二个pn结均正偏，ic不受ib之控制 12楼： 但是为啥书上总说饱和状态集电极电流最大呢，根据特性曲线，不是应该放大状态集电极电流最大吗 13楼： 恭喜你，你来对三极管源的工作状态有了更深一步的理解，你这样理解是正确的， 其实除了书本上提到的发射结正偏、集电结正偏是判断三极管是否处于饱和状态外，还有一个方法也可以用来判断三极管是否处于饱和状态，就是集电结零偏，发射结正偏。 14楼：匿名用户 理解正确 复!集电极电流是随制着基极电流的增大而增大的，当集电极电流增大到一定程度时，再增加基极电流，集电极电流不再随着增加了,管子就饱和了,随着基极电流的继续增加,还会达到一种叫做深度饱和状态,管子压降很低,如果此时在电路中没有限制电流的装置,极易将三极管烧毁. 15楼：和蔼的小粉红 三极管复 饱和结合实际电路来解释 制会更容易(就是书上的基本共射放大电路那个图。)当信号从零增大，使发射结正偏，在外电源vcc作用下集电极结反偏，电路处于放大状态，并且随着信号增大，ib增大，ic=βib，ic增大，rc两端电压也增大，vcc是一定的，加在集电极结两端电压慢慢减小(uce减小)，到某一时刻，集电结电压减小到零，此时三极管就要饱和了，因为集电结马上就要反偏了，ib再大，ic也不会再增大了。 饱和最关键的就是uce是减小到一定程度，就会达到饱和，所以书上说uce＜ube，ube＞uon，三极管处于饱和状态。 16楼：割以永制 不知道我想得对不对，可以讨论一下。 要想使ib增大必须要ub增大，假设uc不变，那么ubc会增内大（原先容ubc是小于零的，这里逐渐向零趋近并大于零，ubc大于零时集电结正偏），这样从发射极注入基区的电子流会在ubc（假设已经大于零）的抑制作用下减少向集电极的流动，即ic会逐渐减小至零。 倘若ub增大时，uc也增大并且ubc始终小于零即集电结始终反偏，这样的话无论ib再怎么增大，ic始终等于一定倍数的ib而不会饱和。 17楼：匿名用户 延伸一个问题，请教一下： 假如在三极管处于放大状态时，给集电极ic外灌一个很大的电流，此时ic=β*ib还成立吗？ 另外，uce是不是只跟供电的vcc有关？它是个控制量还是被控量？它到底与什么有关？ 18楼：冷段香 我觉复得你对电路的理解有点幼稚制，一个确定的接好的电路，它在一个时刻只可能有一种状态，就比如说你知道了这个地方的电流，你就能用实物的电阻推算这个电路的一切，而你却将电流和电压的绝对对应的变化分开来讨论(当然，器件理想)，你的根基并不扎实。我觉得这个问题 只要器件理想，你可以跟据实际测试结果或者电脑模拟结果来推理过程，用大脑想像，简化模型，归纳。。。等等方法，这才是正途(或许最后你会发现结果不那么重要或者发现震惊世界的东西，哈哈。。) 三极管饱和的问题
10 19楼：东吴小肥羊 1.在实际工作中，常用ib*β=v/r作为判断临界饱和的条件。根据ib*β=v/r算出的ib值，回只是使晶体管进入了答初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 2.集电极电阻 越大越容易饱和。 3.饱和区的现象就是：二个pn结均正偏，ic不受ib之控制。 问题：基极电流达到多少时三极管饱和？ 解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1k,vcc是5v,饱和时电阻通过电流最大也就是5ma,用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0. 05ma=50μa,那么基极电流大于50μa就可以饱和。 20楼：cindere鞡 用最简单的共bai射放大电路来分析du，当三zhi极管处于临界饱和dao时，仍然满足β倍的专条件，ic=βib，但当属ib增加一个无穷小量的时候，此时ic和ib之间不再满足β定理，三极管饱和压降很小，约取一个uce=0.7v吧，此时，uce=vcc-ic×rc，rc固定，uce很小，说明ic很大，并没有变小。如果你遇到的问题，或看法和我有出入的，欢迎提出来一起**，我尽可能帮你解决。 希望我的回答能帮助到你。 21楼：王汪 因为，在饱和状态，ic只和vce有关，已经不受基极电流ib的控制了。临界饱和或者深度 专饱和都是属 这样的。 首先我们假设你的原理图如下所示： 放大的时候，应该是发射极正偏，集电极反偏，特征是ic仅受ib控制，与vce的大小无关，具有恒流特性。 这个时候，等效电路应该如下所示（这个你应该懂的）： 接下去分析饱和状态： 饱和对应的是发射极正偏，集电极也正偏的状态。 集电结内电场对基区内非平衡载流子吸引力下降，ic随vce下降而减小，同时集电结正偏，ib增大。ic只和vce有关。饱和状态的原理图如下： 深度状态的如下： 1楼 山水阿锐 碳碳双键，碳碳三键，是不饱和键，碳碳单键是饱和键，有不饱和键的烃叫不饱和烃，无不饱和键的烃都是饱和烃，环烷烃属于不饱和烃。 其实关键是看碳原子周围是否有四个原子。 2楼 局用战止 根据定义 饱和烃是指分子结构中不含有不饱和键的烃类化合物，分为烷烃和环烷烃 不饱和烃为分子结构中含有至少... 1楼 匿名用户 在图的左侧即深度饱和区ic是一条向右上方的斜直线，此状态下基极电流远大于ic ，ic只服从于三极管的饱和状态下导通电阻rc的欧姆定律 在三极管安全功率内 ，ic vce rc，即vce大小决定ic的大小，与ib无关了 横轴2左边向左 而在放大区ic ib，即ib的大小决定ic的大小，... 1楼 匿名用户 饱和键简单来说就是碳的四个电子全部单独与其他原子成键了，不饱和键就是未与其他原子单独成键，可能是有两个或者三个电子同时与同一个原子成键。有不饱和键的烃都可以称为不饱和烃，环烷烃也是饱和烃 2楼 约翰亨利 碳碳双键，碳碳三键，是不饱和键，碳碳单键是饱和键，有不饱和键的烃叫不饱和烃，无不...什么是饱和键和不饱和键,什么是饱和键不饱和键？
三极管饱和工作原理,三极管饱和模式工作原理
不饱和键，饱和键,什么是不饱和键