1楼：木头大宝剑
总共5个问题：
1.三极管放大原理，简单的说：管子工作前题是be结加正向电压bc结加反向电压，然后1.
发射区向基区扩散电子，2.电子在基区边界扩散与复合，空穴由外电源补充，维持电流。3.
电子被集电极收集。改变基极电流就可以改变集电极电流：ic=bib
集电结反偏，就是给集电极加反向电压，用电源ec提供。发射结正偏，就是给基极加正向偏置电压，由偏置电路电阻提供。
2.理论上是可以使一个三极管同时实现开关与放大，因为放大是介于开与关之间的状态。实际应用中没有这样做的，因为开关作用经常被用于控制电路，例如电机启动、停止。
放大作用经常用于小信号模拟电路中，例如家电音响、通讯等等。日常生活中没有同时使用一个三极管兼做2个任务的例子。
3.三极管用于放大时，一般信号电压在几个-十几个毫伏，也就是说在0.7伏左右小幅上下波动范围。
作为开关使用时，一般以0伏为界限，为了可靠开关，三极管基极电压在开状态时输入+3-5伏，关状态时输入-2--5伏（以npn管为例）。
4.三极管放大的是电流，但是通过集电极电阻可以转换为电压输出，也就是说，既可以放大电流，也可以放大电压，根据需要都能做到。
2楼：泉国英买婉
在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大?
为什么接了个电阻就可以将电流放大转换成电压放大???
说下原理可以吗?
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在基本的放大电路中，我们通常看到集电极与集电极电阻中间，分接了一个耦合电容，且它的值一般都有取得比较大，因它与地构成交流的输出端;基极耦合电容.基极电阻.基b到射e.
最后到地构成输入.
一.电流的放大.
三极管在某个电路里,如果有一个小的信号流入电路,它的路
线为\\\从基极耦合电容
到基极电阻到基b到射e,最后到地.
注入的信号电流改变了三极管内部电子的运动,即由be的电流变化,引起ce的电流变化,电路空载时,ce的电压变化是较小的.当然,我现在不去理ce的变化怎么样,反正三极管的内部电子运动发生了变化,这是肯定的.那么输入的信号电流,引起了电路电源的电流经过集电极电阻到c到e,再到电路电源的负端,即c到地端的电流有了一定的流动,那么,我把这理解为基极电流的改变引起了集电极电流的改变,也把它理解作电流的放大.
二.电流放大转换成电压放大?
输入电流引起了集电极电流的变化,我们看到在集电极上端接了一个阻值不是很大的电阻,这个电阻在这里起了重要作用----有了集电极电流在串联路线的流动,当它经过集电级电阻时,在这个电阻上肯定要产生一定的压降,比如电源电压为12伏时,假如在电阻两端产生了5伏电压,那么就是12-5=7伏.
这个电路在没有信号时,假如输出为12伏电压,在有信号时,输出7伏电压,那么我们可以认为这个放大电路工作在7伏与12伏状态下.我们可不可以这样考虑呢--小的输入信号电流的有与无,最终成为了输出信号的电压变化了.我是这样理解的:
小的输入信号它的电流很微弱,电压也很微弱,但经过三极管的放大作用,输入信号的电压由很小变为了7伏,它变强了.
还有,共发射极电路,输入电阻越大越好,输出越小越好?
有点不明白?
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我认为,只要是放大电路,都是输入电阻越大越好,输出越小越好.
我是这样理解的:如有某个三极管放大电路,它的输入电阻为101千欧(100千欧的基极电阻+1千欧的be间电阻),它消耗信号源功率
p=u*u(不去理它信号电压为多少)/r=u*u/101千欧(单位:mw)
当然r越大,值越小,消耗的信号源信号也就小了,且整个电路的消耗电能也就小了.
输出越小越好?--什么是输出电阻呢?
比如在那个基本的三极管放大电路中,rl(负载本身的电阻)+rc(集电极电阻)就是电路的输出电阻了.
rl+rc的值越大,在集电极电阻和负载上消耗电能越多,那当然不经济.
3楼：盖兰柳茶
在没有导通时，三极管的发射机极合集电极之间存在一个很高的势垒（背靠背的二极管），这个势垒能够阻止载流子的通过。当向基区注入电流时，注入的载流子改变了基区的势垒高度。而且基区越薄，势垒高度的变化就越显著。
举个例子。二个棒球运动员相对站立，互相扔球。扔小球的速率为10。
费力指数为10。但是现在中间站了一个人，哪一个网子将所有的球都挡住了，所以接球手接不到球。当中间站着的人花一分力气将网降低，这样使得有5个球能通过被接球手接住。
因为降低网子高度很省力，比投球省力气得多，这样就实现了1分力气换5分力气的事，这就是放大。
三极管就是这样实现了用一个小信号:基极电流，来控制一个大信号：发射极到集电极的电流的目的，于是就实现了信号放大。如果你能理解半导体器件分析的能带图，就能更好的理解这个问题。
4楼：苏堤旧事
三极管是电流放大器
件，有三个极，分别叫做集电极c，基极b，发射极e。分成npn和pnp两种。
以npn型硅三极管为例，我们把从基极b流至发射极e的电流叫做基极电流ib;把从集电极c流至发射极e的电流叫做集电极电流ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极e上就用了一个箭头来表示电流的方向。
三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。
如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流ib的变化，ib的变化被放大后，导致了ic很大的变化。如果集电极电流ic是流过一个电阻r的，那么根据电压计算公式u=r*i可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。
5楼：辛淑兰充巳
三极管的工作原理
三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压ub有一个微小的变化时，基极电流ib也会随之有一小的变化，受基极电流ib的控制，集电极电流ic会有一个很大的变化，基极电流ib越大，集电极电流ic也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。ic
的变化量与ib变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=δic/δib,
δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。
三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫建立偏置，否则会放大失真。
在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压ub升高时，ib变大，ic也变大，ic
在集电极电阻rc的压降也越大，所以三极管集电极电压uc会降低，且ub越高，uc就越低，δuc=δub。仅供参考
6楼：霓裳种子
可以同时实现开关和放大，三机关工作有三个状态，截止，放大，饱和。开关是指达到三极管导通的初始值，从截至区域到达导通状态。导通进入放大状态，就实现放大了呀，关断当然和导通同理哈，其实就是分析三极管的c,b,e极相应的电压电流值间的关系哈。
放大电流，但电流可以通过电阻就转化为电压了哈。
去看看模电书哈，书上详细些。
愿你早点明白！
7楼：匿名用户
极管的工作原理及基础知识
1 三极管的结构和分类
其共同特征就是具有三个电极，这就是“三极管”简称的来历。通俗来讲，三极管内部为由p型半导体和n型半导体组成的三层结构，根据分层次序分为npn型和pnp型两大类。
上述三层结构即为三极管的三个区, 中间比较薄的一层为基区，另外两层同为n型或p型，其中尺寸相对较小、多数载流子浓度相对较高的一层为发射区，另一层则为集电区。三极管的这种内部结构特点，是三极管能够起放大作用的内部条件。
三个区各自引出三个电极，分别为基极（b） 、发射极（e）和集电极（c）。
如图b所示，三层结构可以形成两个pn结，分别称为发射结和集电结。三极管符号中的箭头方向就是表示发射结的方向。
三极管内部结构中有两个具有单向导电性的pn结，因此当然可以用作开关元件，但同时三极管还是一个放大元件，正是它的出现促使了电子技术的飞跃发展。
2 三极管的电流放大作用
直流电压源vcc应大于vbb，从而使电路满足放大的外部条件：发射结正向偏置，集电极反向偏置。改变可调电阻rb，基极电流ib，集电极电流ic 和发射极电流ie都会发生变化，由测量结果可以得出以下结论：
（1） ie ＝ ib ＋ ic ( 符合克希荷夫电流定理）
（2） ic ≈ ib ×? （ ?称为电流放大系数，可表征三极管的电流放大能力）
（3）△ ic ≈ △ ib ×?
由上可见，三极管是一种具有电流放大作用的模拟器件。
3 三极管的放大原理
以下用npn三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大
原理，1、发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流ie。
2、电子在基区扩散和复合：由于基区很薄，其多数载流子（空穴）浓度很低，所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合，形成比较小的基极电流ib，而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。
3、集电区收集从发射区扩散过来的电子：由于集电结反向偏置，可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区，从而形成较大的集电极电流ic。
4 三极管的输入输出特性
三极管的输入特性是指当集-射极电压uce为常数时，基极电流ib与基-射极电压ube之间的关系曲线。
对硅管而言，当uce超过1v时，集电结已经达到足够反偏，可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区。如果此时再增大uce ，只要ube保持不变（从发射区发射到基区的电子数就一定）， ib也就基本不变。就是说，当uce超过1v后的输入特性曲线基本上是重合的。
由图可见，和二极管的伏安特性一样，三极管的输入特性也有一段死区，只有当ube大于死区电压时，三极管才会出现基极电流ib。通常硅管的死区电压约为0.5v，锗管约为0.
1v。在正常工作情况下，npn型硅管的发射结电压ube为0.6～0.
7v，pnp型锗管的发射结电压ube为-0.2～ -0.3v。
三极管的输出特性是指当基极电流ib一定时，集电极电流ic与集-射极电压uce之间的关系曲线。在不同的ib下，可得出不同的曲线，所以三极管的输出特性是一组曲线。通常把输出特性曲线分为三个工作区：
1、放大区：输出特性曲线的近于水平部分是放大区。在放大区, ic ＝ ib ×?
,由于在不同ib下电流放大系数近似相等，所以放大区也称为线性区。**管要工作在放大区，发射结必须处于正向偏置，集电结则应处于反向偏置，对硅管而言应使ube>0，ubc<0。
2、截止区： ib ＝ 0的曲线以下的区域称为截止区。实际上，对npn硅管而言，当ube＜0.
5v时即已开始截止，但是为了使三极管可靠截止，常使ube≤0v，此时发射结和集电结均处于反向偏置。
3、饱和区：输出特性曲线的陡直部分是饱和区，此时ib的变化对 ic的影响较小，放大区的?不再适用于饱和区 。在饱和区， uce＜ube，发射结和集电结均处于正向偏置。
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1楼 匿名用户 在图的左侧即深度饱和区ic是一条向右上方的斜直线，此状态下基极电流远大于ic ，ic只服从于三极管的饱和状态下导通电阻rc的欧姆定律 在三极管安全功率内 ，ic vce rc，即vce大小决定ic的大小，与ib无关了 横轴2左边向左 而在放大区ic ib，即ib的大小决定ic的大小，...
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