1楼：优游
电路图 如下：
三极管介绍：
1、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
2、晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
3、三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结，两个pn结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种。
求三极管开关电源电路图
2楼：邰夏留
12v1a，13009太浪费了，13005都绰绰有余了。你若是不怕浪费做来自己用那就没事了。因为这样余量大，发热量低，可以稍微提高点效率。
ee25也太浪费了，窗口利用率只怕80%都用不到。
你这个图，可以用反激或者rcc来做，用正激的话，多了个绕组和几个元件，也浪费了。
就这功率的话，反激才是王道。
一般我用的都是用的场管画的，
这也简单，随便帮你画个三极管的吧，但是我没实践，不过理论上工作是没问题，但是稍微有几些元件需要你自己小改调试。这样才能让这个电源工作在最佳状态。我实践过的都是场效应管的。
所以这个需要你自己去调试了。
另外，那两个滤波电感可以取消不要，如需要，可以减小感量，这样的话效率高点，不然感量太大，损耗也大，不过纹波肯定会低。具体的你自己去改，我是大概标了一下。反激不需要电感储能，所以，次级的电感随便找个磁环绕上个七八圈就没问题了。
好了，你是学生吧？能帮你的就这么多了，也只有我这种人才会没事去帮你画个图，帮你实做一个测试下是不太可能了，也没人会为了网上一个不认识的人去实验下。你可以去网上多搜搜12v开关电源，应该会有别人做过实物的。
哎，帮人帮到底吧，这两个图目测可用，不过是个5v的，你只要把变压器参数按我给你的参数绕，然后把431的取样电阻搞成12v的取样，基本上就没什么问题了。注意反馈绕组同名端，有时反了的话，可能短路保护功能会不正常的。
3楼：优游
电路图 如下：
三极管介绍：
1、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
2、晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
3、三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结，两个pn结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种。
4楼：夏羽
这个，当开关闭合时，三极管基极得到偏流而导通，电流流过灯泡。当开关断开时，三极管基极偏压消失，三极管截止。这样做的好处是，由于基极电流很小，可以用很小很小微型开关。
且开关寿命会大大延长。再一个，三极管导通不会产生电火花，因此可以用到严禁烟火的地方。
三极管控制电源开关电路
5楼：匿名用户
你的要求是要对35v进行通断控制，也就是三极管工作在开关状态。此时，对三极管和电阻的要求非常宽泛，只要取经验数值就足够了，一般对于小功率管，基极电阻控制在基极电流在几个毫安-十几毫安。工作在稍大功率的晶体管的放大倍数一般可取50，小功率的可取100.
由于三极管参数的离散性，在开关状态的三极管放大倍数要稍小一些为好。
另外，你想限制输出电流，只加一个r4是不够的，需要采取限流措施。
看下图。
工作电流250ma,那么t1基极电流可取10ma左右，当t2饱和导通后，可认为35v全部加在r3上，可计算得到r3= 35/10=3.5k. 取标准值 3.3k。
这个10ma就是t2的集电极电流，已经很小了，那么基极电流可取1ma保证可靠工作。当i/o口输出5v时，可取r2=3.3k.
关键是r4. 在电流=250ma时候，要保证当电流超过限制时候，q3要可靠工作。取三极管be=0.
7v，电流250ma，可计算得到r4=2.8. 调整r4大小，可调整限制电流的大小。
从**图上可看到，当r5负载非常小的时候，输出电压已经降低到14v左右。输出电流约280ma。
6楼：无畏无知者
就你这个电路而言（先不讨论电路是否完善），常规的方法，因为t2工作在开关状态，t2基极电流取1ma，如果i/o输出高电平5v，则r2=3.9kω；
取t1的β=50，则t2基极电流=5ma（=t2集电极电流），r4=1ω（取大了输出离输入就更远了），
那么，vcc=ur4+0.7v+ur3+0.3v，则 r3 ≈ 35/5 = 6.8kω；
具体参数还需要通过实验微调；
另外，一般为使t1工作稳定，还在电源输入端到t1基极之间并接个电阻，其压降就=ur4+0.7v，这样t2集电极电流就可以取得更大些了；
7楼：那天老三
对着第二个电路
r4的取值是看你电路的输出电流要多大了,如果输出是1a,那就取一个1欧的就行了,它的作用是给t1作限流的,防止t1电流过大而烧坏
r3是给t1的b极提供偏置电流的,这是开关电源,不是放大电路,目的就是让三极管开关和关的,所以,它的取值不会是一全确定的值的,就取1k吧,因为这个电阻好找
r2是驱动t2的,随便一个在k级别的电阻就得了,因为已经有一个10k的上拉电阻了,10k都是足以驱动这个电路了
t2是一个驱动的三极管,就用8050这类常用的三极管就得了,没有太大的要求的
t1是输出电流的,要选用电流大点的三极管,像你说的0.25a的话,那就8550也行,最好是能用13001这种开关管,要更大电流的话,那就用13007
众说纷纭,你可能也不知道到底是听谁的好,也不知道谁的结论是对的,最好是自己焊出电路来,你就会知道了
现在看来,你的模电基础并不是很好,还得再学习一下再来看51也行,
8楼：匿名用户
小朋友，你两个图都不对啊。
第一个t2无法打开，第二个图t1无法输出。
9楼：冰天雪地
看管子的资料电压，电流是都少。 还有 5v和35v一定要共地，那就需要稳压集成块了，t1也应该上拉一个5v
10楼：失去才s永恒
r4 2.2-10欧姆 t1 pnp型2sa1952q 60v5a t2 npn型8050三极管
三极管和mos管在做开关电源电路设计中如何区别及选用
11楼：悠悠__3瑬
分成npn和pnp两种。我们仅以npn三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。
我们把从基极b流至发射极e的电流叫做基极电流ib;把从集电极c流至发射极e的电流叫做集电极电流 ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极e上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：
集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流ib的变化，ib的变化被放大后，导致了ic很大的变化。
三极管是电流控制型器件。
mos管是金属(metal)氧化物(oxid)半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。mos管的源(source)和漏(drain)是可以对调的，他们都是在p型backgate中形成的n型区。
在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
当mos电容的栅极(gate)相对于衬底(backgate)正偏置时发生的情况。穿过gate dielectric的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。
随着gate电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像n型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做沟道(channel)。
随着gate电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。channel形成时的电压被称为阈值电压vt。当gate和backgate之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。
所以mos是电压控制型器件。
(1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
(2)场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
(5)场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于开关电源及各种电子设备中。尤其用场效管做开关电源的功率驱动，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
(6)场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
三极管bjt与场效应管fet的区别很多，简单列出几条：
1.三极管用电流控制，mos管属于电压控制，bjt放大电流，fet将栅极电压转换为漏极电流。bjt第一参数是电流放大倍数β值，fet第一参数是跨导gm;
2.驱动能力：mos管常用来电源开关管，以及大电流地方开关电路;
3.成本问题：三极管便宜，mos管贵;
4.bjt线性较差，fet线性较好;
5.bjt噪声较大，fet噪声较小;
6.bjt极性只有npn和pnp两类，fet极性有n沟道、p沟道，还有耗尽型和增强型,所以fet选型和使用都比较复杂;
7.功耗问题：bjt输入电阻小，消耗电流大，fet输入电阻很大，几乎不消耗电流;
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制;mos管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
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