1楼:
拿其电阻率
bai来说,电阻du率主要决定于载流zhi
子的浓度和迁dao移率,两者均与杂质版浓度和权温度有关系。
讨论纯半导体材料是,电阻率主要取决于本证载流子浓度ni,ni随温度升高会急剧增加,室温左右时,每8°C,硅的ni会增加大约一倍,而迁移率只是稍有下降,所以可以认为起电阻率相应的降低了一半左右。对于锗,每增加12°C,ni增加一倍,电阻率下降一半。本征半导体的电阻率随温度增加单调下降。
对于杂质半导体:
温度很低时,本征激发忽略,主要由杂质电离提供载流子,它随温度升高而增加;散射主要由电离杂质决定,迁移率随温度升高增大,所以电阻率下降。
温度继续升高,杂质全部电离,本征激发还不显著时,载流子基本不变,晶格振动是主要影响因素,迁移率随温度升高而降低,所以电阻率随温度升高而增大。
继续升高到本征激发很快增加时,本征激发称为主要影响因素,表现出同本证半导体相同的特征。
1,半导体随着温度升高,其电阻率的变化如何?为什么?
2楼:星空物理教研室
半导体随着温度升高,其电阻率是变小的。
因为半导体材料的分子一般排列的比较有序,才导致可以用半导体材料做成二极管,具有单向导电性。
随着温度的升高,分子排列的无序性变大,导电性能变好。电阻率将会减小。
3楼:匿名用户
随温度升高变小,不为什么,死理,记住就能用
4楼:嗜杀炮灰
它的变化是呈非线性的,
5楼:匿名用户
电阻率升高,因为半导体中的导电多子和少子都变多
电阻率的概念是什么,它和温度的关系是怎样的。随着温度的增加,不用材料的电阻率会如何变化?
6楼:行在中间的孤
导体的电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。
某种物质所制成的原件(常温下20°c)的电阻与横截面积的乘积与长度的比值叫做这种物质的电阻率。
电阻率与导体的长度、横截面积等因素无关,是导体材料本身的电学性质,由导体的材料决定,且与温度有关。
对于一般的金属导体来说,温度升高,导体的电阻率增大。因为导体中的电子热运动加剧导致电子定向移动时的阻力增大。
电阻率越大,表示电阻的导电性能越差。
金属材料的电阻率有以下特点:一般而言,纯金属的电阻率小,合金的电阻率大;金属的电阻率随温度的升高而
7楼:唯爱琦儿_靥
b试题分析:电阻
bai率是一个反du映导体导电性能的物zhi理量dao,是导体材料本身的属性内,只与材料和温度容有关。
合金的电阻率大,常用来做电阻不做电线;所以a错误。纯金属的电阻率小,常用来做导线,合金的电阻率大,常用来做电阻;所以b正确。电阻温度计是利用金属的电阻率随温度变化,金属的电阻随温度显著变化而制成的,所以c选项错误。
标准电阻一般用电阻率几乎不受温度影响的合金来制作所以d选项错误。
故选b点评:电阻率ρ由材料自身的特性和温度决定,纯金属的电阻率较小,合金的电阻率较大,橡胶的电阻率最大.各种材料的电阻率都随温度而变化.
金属的电阻率随温度的升高而增大,利用它可制作电阻温度计;有些合金(如锰铜和镍铜)的电阻率几乎不受温度变化的影响,利用它可制作标准电阻。
物质材料的电阻率的往往随温度的变化而变化,一般金属材料的电阻率随温度的升高而增大,而半导体材料的电
8楼:琳大小姐
1:由于待测电阻的阻值较小远小于电压表内阻,所以电流表应用外接法;从数据表可知,电流从零调,所以变阻器应采用分压式接法,故电路图应是b;
2:从表中数据可知,温度越高(电流越大)时,求出的电阻越小,可判断元件是半导体材料;
3:在不断开电路情况下,检查电路故障时不能使用电流挡和欧姆挡,从表中数据可知最高电压是1.5v,所以应该使用直流电压2.5v挡;
由于黑表笔接在电压表的正极,所以将多用表的红、黑表笔与电流表“+”、“-”接线柱接触时,多用电表指针发生较大偏转,说明电路故障是电流表断路;
故答案为:1b;2半导体;3直流电压2.5v,电流表断路
各种材料的电阻率都与温度有关,金属的电阻随温度升高而减小?
9楼:匿名用户
错了,金属导体的电阻是随温度的升高而增大的,并不是减小。因为温度升高,使导体内分子的热运动增大,对自由电子的流动产生的阻力增大,导电性下降。
10楼:匿名用户
金属的温度升高,电子的活动加剧;电子越容易移动,电阻自然就越低;