半导体激光器有哪些特性,温度对半导体激光器P-I特性有什么影响

2021-01-10 12:00:15 字数 1366 阅读 7655

1楼:大比特资讯专家

根据固体的能带理论,半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带,低能量的为价带,两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时,把释放的能量以发光形式辐射出去,这就是载流子的复合发光。

一般所用的半导体材料有两大类,直接带隙材料和间接带隙材料,其中直接带隙半导体材料如gaas(砷化镓)比间接带隙半导体材料如si有高得多的辐射跃迁几率,发光效率也高得多。

半导体复合发光达到受激发射(即产生激光)的必要条件是:①粒子数反转分布分别从p型侧和n型侧注入到有源区的载流子密度十分高时,占据导带电子态的电子数超过占据价带电子态的电子数,就形成了粒子数反转分布。②光的谐振腔在半导体激光器中,谐振腔由其两端的镜面组成,称为法布里一珀罗腔。

③高增益用以补偿光损耗。谐振腔的光损耗主要是从反射面向外发射的损耗和介质的光吸收。

半导体激光器是依靠注入载流子工作的,发射激光必须具备三个基本条件:

(1)要产生足够的 粒子数反转分布,即高能态粒子数足够的大于处于低能态的粒子数;

(2)有一个合适的谐振腔能够起到反馈作用,使受激辐射光子增生,从而产生激光**;

(3)要满足一定的阀值条件,以使光子增益等于或大于光子的损耗。

半导体激光器工作原理是激励方式,利用半导体物质(即利用电子)在能带间跃迁发光,用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜,组成谐振腔,使光振荡、反馈,产生光的辐射放大,输出激光。

半导体激光器优点:体积小、重量轻、运转可靠、耗电少、效率高等。http://ic.big-bit.***/

温度对半导体激光器p-i特性有什么影响

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半导体激光器具有半导体普遍的特性,也包括温度特性。

温度升高,同样的电流下,半导体激光器波长变长,输出功率也会降低。

温度下降,趋势相反。

3楼:匿名用户

温度升高,阈值增大;p-i特性曲线大于阈值的曲线斜率下降;同样的电流下,输出功率也会降低。

温度降低,变化趋势相反。

4楼:眼前的缘分

半导体激光器是温敏器件,对温度变化相当敏感。温

度的变化会致使其输出光性能发生变化,甚至影响使用寿命。温度升高,阀值增大,输出光功率减小。驱动电流越大,温度变化引起光功率的变化越大。

温度变化会使半导体激光器的p-i曲线呈非线性畸变。

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5楼:穿越雨水

半导体激光器具有半导体普遍的特性,

也包括温度特性。 温度升高,

同样的电流下,半导体激光器波长变长,

输出功率也会降低。 温度下降,趋势相反。

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