1楼：匿名用户
通过二极管的电压降为横坐标，通过二极管的电流为纵坐标，经过绘制后出来的图像就是所求的二极管的伏安特性曲线图。
2楼：匿名用户
二极管两端的电压和通过它的电流之间的关系曲线。谢谢。
什么叫半导二极管的伏安特性曲线
3楼：假的司马
半导二极管的伏安特性是指流过半导二极管的电流随半导二极管两端电压的变化特性，半导二极管的伏安特性曲线是指反映该变化特性的曲线、
下图所示的两条曲线，是较为典型的锗和硅二极管的伏安特性曲线，曲线可分三部分来说明。
1、正向特性：
当外加正向电压较小时，正向电流很小，二极管呈现出较大的电阻（图中oa段和oa’段）；正向电压超过某一数值（ud称为其实电压或死区电压，硅管为0.6到0.8伏，锗管委0.
2伏），电流随着电压增加得很快（图中的ab段和a’b’段）。但增加的电流不能超过二极管允许电流，否则二极管会被烧坏。
2、反向特性：加上方向电压时，只有很小的反向电流，并且它基本上不随电压变化，如曲线上cd段和c’d’段，这种电流称为反向饱和电流。反向饱和电流随着温度升高而增长很快。
3、反向击穿电压：
当反向电压超过某一数值的时候，反向电流突然猛增，这种现象称为反向击穿，如曲线e和e’以下的部分。对应于e点的电压称为击穿电压。
4楼：匿名用户
这是半导体的一个特性，与导体与绝缘体不同，导体（绝缘体）在一定环境下，阻值一定，当两端电压升高时，其通过的电流也会增加，并且两者呈线性关系，但半导体却在一定条件下电压升高，电流通过很小，而达到一定程度后，当电压略有增加，电流增加很多（像抛物线），而反向时，当电压低于一定值时，基本上没有电流通过，当电压达到一定程度时，电流急剧增加（击穿），相当于导通
什么是二极管的伏安特性曲线？ 根据二极管的伏安特性曲线，说明二极管的单向导电性。
5楼：匿名用户
二极管的伏安特性具有以下特点：①二极管具有单向导电性；②二极管的伏安特性具有非线性；③二极管的伏安特性与温度有关。实在不行换一个 或者在硬之城上面找找这个型号的资料
二极管的伏安特性曲线有何特点
6楼：匿名用户
① 二极管具有单向导电性； ② 二极管的伏安特性具有非线性； ③ 二极管的伏安特性与温度有关。
二极管伏安特性曲线
7楼：匿名用户
用低频是便于测量数据。测量二极管特性曲线用三角波是因为波形是线性变化的，也是便于测量。如果用正弦波的话，就是非线性变化了。而用方波根本就测试不了二极管的伏安特性。
怎样分析二极管的伏安特性曲线
8楼：匿名用户
二极管的性能可用其伏安特性来描述。在二极管两端加电压u，然后测出流过二极管的电流i，电压与电流之间的关系i=f(u)即是二极管的伏安特性曲线，如图所示。
二极管伏安特性曲线如图
二极管的伏安特性表达式可以表示为式
id=is*(e^ud/ut-1)
其中id为流过二极管两端的电流，ud为二极管两端的加压，ut在常温下取26mv。is为反向饱和电流。
1、正向特性
特性曲线1的右半部分称为正向特性，由图可见，当加二极管上的正向电压较小时，正向电流小，几乎等于零。只有当二极管两端电压超过某一数值uon时，正向电流才明显增大。将uon称为死区电压。
死区电压与二极管的材料有关。一般硅二极管的死区电压为0.5v左右，锗二极管的死区电压为0.
1v左右。
当正向电压超过死区电压后，随着电压的升高，正向电流将迅速增大，电流与电压的关系基本上是一条指数曲线。由正向特性曲线可见，流过二极管的电流有较大的变化，二极管两端的电压却基本保持不变。通过在近似分析计算中，将这个电压称为开启电压。
开启电压与二极管的材料有关。一般硅二极管的死区电压为0.7v左右，锗二极管的死区电压为0.
2v左右。
2、反向特性
特性曲线1的左半部分称为反向特性，由图可见，当二极管加反向电压，反向电流很小，而且反向电流不再随着反向电压而增大，即达到了饱和，这个电流称为反向饱和电流，用符号is表示。
如果反向电压继续升高，当超过ubr以后，反向电流急剧增大，这种现象称为击穿，ubr称为反向击穿电压。
二极管的伏安特性曲线
9楼：牛角尖
因为纵坐标是对数坐标，所以只要直线就是指数变化，图中可见10a电流以下确实符合指数变化特点。
由于二极管并不只是一个pn结，还包含半导体材料的欧姆电阻（半导体的电阻率肯定要比导体大），因此实际电流曲线就包含了这个串联电阻的影响，电流越大，这个电阻上的电压越大，对曲线影响就越大，偏离指数特性就越大，按照欧姆定律，最后电压电流应该成为线性关系而不是指数关系了。
二极管的伏安特性曲线的特征及其物理意义
10楼：匿名用户
二极管的
伏安特性曲线的特征
1、二极管具有单向导电性；
2、 二极管的伏安特性具有非线性；
3、二极管的伏安特性与温度有关。
在二极管两端加一定数值的电压，就有一定的电流流过二极管。如果在直角坐标图上以x轴（横轴）表示电压，以y轴（纵轴）表示电流，就可以在坐标图上画出与上述电压、电流数值相对应的一点，这一点的横坐标是电压数值，纵坐标是电流数值。改变二极管上所加电压的数值，就可以得到对应的电流数值，同时可以在坐标上得到许多对应的点，将这些点连起来，就画出了二极管的电流随二极管上所加电压变化而变化的曲线，这条曲线就叫二极管的伏安特性曲线。
当在二极管的两端加上正向电压时，二极管中就会有电流流过，电流的大小与加在两端电压的大小有关，如曲线中的oa段。但由于所加电压较小，不足以克服结电场对晶体中载流子扩散的阻挡作用，因而正向电流增加很小。当外加电压继续增加到一定数值时(硅管约0.
7v，锗管为0.3v)，结电场几乎被完全抵消，因而使二极管内阻变小，正向电流急剧增加，如图中曲线的ab段所示，曲线变得很陡，电流的增大和电压的增加成线性关系。这时，对应于b点的电流if称为二极管的额定工作电流，即实际工作中的最大允许电流。
与b点对应的电压vf称为二极管的（额定电流时的）正向管压降。
二极管伏安特性曲线问题（鄙视粘贴狂人）
11楼：钤山镇
二极管的伏安特性是指流过二极管的电流id与加于二极管两端的电压ud之间的关系或曲线。用逐点测量的方法测绘出来或用晶体管图示仪显示出来的u～i曲线，称二极管的伏安特性曲线。下图是二极管的伏安特性曲线示意图，依此为例说明其特性。
一、正向特性
由图可以看出，当所加的正向电压为零时，电流为零；当正向电压较小时，由于外电场远不足以克服pn结内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力，故正向电流很小（几乎为零），二极管呈现出较大的电阻。这段曲线称为死区。
当正向电压升高到一定值uγ（uth）以后内电场被显著减弱，正向电流才有明显增加。uγ被称为门限电压或阀电压。uγ视二极管材料和温度的不同而不同，常温下，硅管一般为0.
5v左右，锗管为0.1v左右。在实际应用中，常把正向特性较直部分延长交于横轴的一点，定为门限电压uγ的值，如图中虚线与u轴的交点。
当正向电压大于uγ以后，正向电流随正向电压几乎线性增长。把正向电流随正向电压线性增长时所对应的正向电压，称为二极管的导通电压，用uf来表示。通常，硅管的导通电压约为0.
6～0.8v （一般取为0.7v），锗管的导通电压约为0.
1～0.3v （一般取为0.2v）。
二、反向特性
当二极管两端外加反向电压时，pn结内电场进一步增强，使扩散更难进行。这时只有少数载流子在反向电压作用下的漂移运动形成微弱的反向电流ir。反向电流很小，且几乎不随反向电压的增大而增大（在一定的范围内），如图z0111中所示。
但反向电流是温度的函数，将随温度的变化而变化。常温下，小功率硅管的反向电流在na数量级，锗管的反向电流在μa数量级。
三、反向击穿特性
当反向电压增大到一定数值ubr时，反向电流剧增，这种现象称为二极管的击穿，ubr（或用vb表示）称为击穿电压，ubr视不同二极管而定，普通二极管一般在几十伏以上且硅管较锗管为高。
击穿特性的特点是，虽然反向电流剧增，但二极管的端电压却变化很小，这一特点成为制作稳压二极管的依据。
12楼：南风二三
电流公式是j=js[exp(u/ut)-1],ut是热电压，就是室温下等于26mv的那个东西，这个，公示我打的不是很标准，这里没有公示编辑器额，你就凑合看下吧。没有为啥吧，公示就是这样，曲线图就是这样了呗……
其中那个js是我们一个定义的参数，叫它理想反向饱和电流。js=[e*dp*p0/lp + e*dn*n0/ln],如果学过半导体物理的话，就能看出来这个js是和材料有关的。
肖特基二极管比pn结二极管（就是你说的si管）正向压降（就是有效开启电压）小，是因为肖特基二极管的理想反向饱和电流值比pn结二极管的大几个数量级。
你说的这个补充问题，我没太理解，肖特基二极管就是指金属和n型半导体接触形成的， 因为肖特基二极管的电流主要取决于多数载流子电子的流动，如果你让金属和p型半导体接触，它怎么可能导电啊……
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