1楼:牛角尖
因为纵坐标是对数坐标,所以只要直线就是指数变化,图中可见10a电流以下确实符合指数变化特点。
由于二极管并不只是一个pn结,还包含半导体材料的欧姆电阻(半导体的电阻率肯定要比导体大),因此实际电流曲线就包含了这个串联电阻的影响,电流越大,这个电阻上的电压越大,对曲线影响就越大,偏离指数特性就越大,按照欧姆定律,最后电压电流应该成为线性关系而不是指数关系了。
怎样分析二极管的伏安特性曲线
2楼:匿名用户
二极管的性能可用其伏安特性来描述。在二极管两端加电压u,然后测出流过二极管的电流i,电压与电流之间的关系i=f(u)即是二极管的伏安特性曲线,如图所示。
二极管伏安特性曲线如图
二极管的伏安特性表达式可以表示为式
id=is*(e^ud/ut-1)
其中id为流过二极管两端的电流,ud为二极管两端的加压,ut在常温下取26mv。is为反向饱和电流。
1、正向特性
特性曲线1的右半部分称为正向特性,由图可见,当加二极管上的正向电压较小时,正向电流小,几乎等于零。只有当二极管两端电压超过某一数值uon时,正向电流才明显增大。将uon称为死区电压。
死区电压与二极管的材料有关。一般硅二极管的死区电压为0.5v左右,锗二极管的死区电压为0.
1v左右。
当正向电压超过死区电压后,随着电压的升高,正向电流将迅速增大,电流与电压的关系基本上是一条指数曲线。由正向特性曲线可见,流过二极管的电流有较大的变化,二极管两端的电压却基本保持不变。通过在近似分析计算中,将这个电压称为开启电压。
开启电压与二极管的材料有关。一般硅二极管的死区电压为0.7v左右,锗二极管的死区电压为0.
2v左右。
2、反向特性
特性曲线1的左半部分称为反向特性,由图可见,当二极管加反向电压,反向电流很小,而且反向电流不再随着反向电压而增大,即达到了饱和,这个电流称为反向饱和电流,用符号is表示。
如果反向电压继续升高,当超过ubr以后,反向电流急剧增大,这种现象称为击穿,ubr称为反向击穿电压。
二极管的伏安特性曲线是怎样的?
3楼:北京理工大学出版社
二极管的伏安特性曲线可用图1所示的电路测得
4楼:咸慕荤俊远
反映二极管电压和电流之间关系的曲线就是二极管的伏安特性曲线
5楼:鞠令颛孙梓敏
用低频是便于测量数据。测量二极管特性曲线用三角波是因为波形是线性变化的,也是便于测量。如果用正弦波的话,就是非线性变化了。而用方波根本就测试不了二极管的伏安特性。
二极管的伏安特性曲线分为那几个区?各有各特点?(电工电子题)
6楼:匿名用户
截止区,放大区,饱和区截止区电阻无限大,放大区电阻随电压的变化而变化,饱和区是电压高于0.7v时,电阻几乎为零
二极管理想模型的伏安特性曲线是怎样的?
7楼:北京理工大学出版社
二极管理想模型的伏安特性曲线为过原点的一条折线
二极管的伏安特性曲线的特征及其物理意义
8楼:匿名用户
二极管的
伏安特性曲线的特征
1、二极管具有单向导电性;
2、 二极管的伏安特性具有非线性;
3、二极管的伏安特性与温度有关。
在二极管两端加一定数值的电压,就有一定的电流流过二极管。如果在直角坐标图上以x轴(横轴)表示电压,以y轴(纵轴)表示电流,就可以在坐标图上画出与上述电压、电流数值相对应的一点,这一点的横坐标是电压数值,纵坐标是电流数值。改变二极管上所加电压的数值,就可以得到对应的电流数值,同时可以在坐标上得到许多对应的点,将这些点连起来,就画出了二极管的电流随二极管上所加电压变化而变化的曲线,这条曲线就叫二极管的伏安特性曲线。
当在二极管的两端加上正向电压时,二极管中就会有电流流过,电流的大小与加在两端电压的大小有关,如曲线中的oa段。但由于所加电压较小,不足以克服结电场对晶体中载流子扩散的阻挡作用,因而正向电流增加很小。当外加电压继续增加到一定数值时(硅管约0.
7v,锗管为0.3v),结电场几乎被完全抵消,因而使二极管内阻变小,正向电流急剧增加,如图中曲线的ab段所示,曲线变得很陡,电流的增大和电压的增加成线性关系。这时,对应于b点的电流if称为二极管的额定工作电流,即实际工作中的最大允许电流。
与b点对应的电压vf称为二极管的(额定电流时的)正向管压降。
半导体二极管伏安特性曲线 5
9楼:原点
半导体二极管的核心是pn结,它的特性就是pn结的特性——单向导电性。用实验的方法,在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压,同时测量流过二极管的电流值,就可得到二极管的伏一安特性曲线。该曲线是非线性的,如图1-13所示。
正向特性和反向特性的特点如下。
1.正向特性
当正向电压很低时,正向电流几乎为零,p89lpc954fbd这是因为外加电压的电场还不能克服pn结内部的内电场,内电场阻挡了多数载流子的扩散运动,此时二极管呈现高电阻值,基本上还是处于截止的状态。如图1-13所示,正向电压超过二极管开启电压uon(又称为死区电压)时,电流增长较快,二极管处于导通状态。开启电压与二极管的材料和工作温度有关,通常硅管的开启电压为uon=0.
5v(a点),锗管为uon=0.1v(a'点)。二极管导通后,二极管两端的导通压降很低,硅管为0.
6~0.7v,锗管为0.2~0.
3v如图1-13中b、b'点。
2.反向特性
在分析pn结加上反向电压时,已知少数载流子的漂移运动形成反向电流。因少数载子数量少,且在一定温度下数量基本维持不变,因此,厦向电压在一定范围内增大时,反向电流极微小且基本保持不变,等于反向饱和电流is。
当反向电压增大到ubr时,外电场能把原子核外层的电子强制拉出来,使半导体内载流子的数目急剧增加,反向电流突然增大,二极管呈现反向击穿的现象如图1-13中d、d'点。二极管被反向击穿后,就失去了单向导电性。二极管反向击穿又分为电击穿和热击穿,利用电击穿可制成稳压管,而热击穿将引起电路故障,使用时一定要注意避免二极管发生反向热击穿的现象。
二极管的特性对温度很敏感。实验表明,当温度升高时,二极管的正向特性曲线将向纵轴移动,开启电压及导通压降都有所减小,反向饱和电流将增大,反向击穿电压也将减小。
10楼:匿名用户
一种用图型曲线法来表示半导体二极管在施加不同电压时它的电流如何进行相应变化的一种很直观的表示方法。
11楼:电子测量百事通
用晶体管图示仪,qt2
二极管伏安特性曲线
12楼:匿名用户
用低频是便于测量数据。测量二极管特性曲线用三角波是因为波形是线性变化的,也是便于测量。如果用正弦波的话,就是非线性变化了。而用方波根本就测试不了二极管的伏安特性。
二极管的伏安特性曲线的特征及其物理意义
1楼 匿名用户 二极管的 伏安特性曲线的特征 1 二极管具有单向导电性 2 二极管的伏安特性具有非线性 3 二极管的伏安特性与温度有关。 在二极管两端加一定数值的电压,就有一定的电流流过二极管。如果在直角坐标图上以x轴 横轴 表示电压,以y轴 纵轴 表示电流,就可以在坐标图上画出与上述电压 电流数值...
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