1楼：山人老施
1、mos管驱动要用图腾柱，是因为mos管的栅极输入电阻极大，使得驱动电路必须以非常大的电流去给栅极电容充电和放电。当脉冲频率非常高时，这个电容所造成的影响会非常突出，由此所产生的栅极电流峰值甚至可以超过10a，从而产生电流，因此要选驱动能力强的图腾柱电路来提供栅极信号。如果栅极信号是脉冲，一个三极管也可以。
2、mos管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。mos管的source和drain是可以对调的，他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。
这样的器件被认为是对称的。
3、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结，两个pn结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种。
2楼：遥远星空
电机、电桥驱动一般工作在大电流，高频高速状态，mos管为电压控制型器件，多用于高频高速电路，高输入阻抗，损耗小，适合单片机控制输出驱动，三极管为电流型控制器件，损耗大，饱和导通压降大，驱动电流大，大电流工作状态下发热严重。
为什么mos管要用三极管驱动？
3楼：匿名用户
我用led驱动是直接用mos管的，没接三极管，也是pwm模式。
我觉得你驱动电机时，应该是mos管的管压过高，得串个三极管分担下电压。
如果两个三极管是同一型号的号，那么两个三极管都是开关作用的，节能灯的驱动就是两个三极管在一起，一个开一个关做开关用，不过频率都很高，得用示波器抓波形
4楼：匿名用户
三极管在电路中的作用是电压放大，通过三极管的转换，以使51单片机输出的pwm信号电平，升高至满足mos管的驱动电压。
12v直流电机，单片机控制三极管驱动mos管？
5楼：匿名用户
两种接法供参考，前一种作为开关用比较简单。
后一种接法用在频率比较高的场合比较好。
6楼：匿名用户
第1种接法是正确的；第2种接法将q3的基极直接连至5v电源是错误的，这会导致npn管9013基极对电源接地端灌入过大电流而烧毁发射结；第3种接法也是错误的，q7的基极直接与q6的集电极连接，一旦q6导通，q7的基极相当于对电源地接通。过大的基极电流同样会导致pnp管8550的发射结烧毁，甚至连同q6一并烧毁。以上第2、3种的连接方法在电原理方面都存在严重错误，所以不论是**还是实际应用都是行不通的。
7楼：匿名用户
第二个图不行，应该是因为q3管的基极直接接到了电源吧，单片机的电流输出能力是有限的，直接接到基极上没有问题（实际应用没见过这样接的，应该也不行），但是电源不可以的吧。你在q4的集电极到q3基极之间接个电阻或者第一个电源出来直接加一个限流电阻，再**下看看吧。
第三个图，假设控制信号输出的是高电平，那么q6导通，q7导通，如果输出的是低电平（不是高阻态），q6虽然不会导通，但是电源经过q7的be结和q6的bc节这2个pn节再到低电平产生了基极电流，q7也就导通了。你在q7的射极加限流电阻，q6的基极加一个二极管，靠近基极的一端是阴极，再**下看看。
我也是初学者，如果错了，希望大神不要见笑。如果对了，希望楼主告诉我结果，让我也肯定自己的推断。谢谢！
8楼：匿名用户
1. 5v不能直接灌进基极，会烧坏三极管，图1图2都不能这样用，加个限流电阻；
2. 图3 q6集电极没有电压如何导通呢？
为什么测灯丝和二极管伏安特性时选用电压表内接电路
1楼 匿名用户 当被测电路电阻与电流表内阻接近时 两者电压相差不大 测两者电压对于实际电压来看偏差大所以电流表放在外面 伏安特性的测量实验中为什么使用内接 2楼 艾康生物 使用内接法是为了排除经过电压表的电流对电流表读数的影响 例如 如果被测电阻越大则经过电阻的电流与流入电压表的电流会很相近而导致较...