1楼:匿名用户
ttl集成电路使用ttl管,也就是pn结。功耗较大,驱动能力强,一般工作电压+5v
cmos集成电路使用mos管,内功耗小,工作电容压范围很大,一般速度也低,但是技术在改进,这已经不是问题。
就ttl与cmos电平来讲,前者属于双极型数字集成电路,其输入端与输出端均为三极管,因此它的阀值电压是<0.2v为输出低电平;>3.4v为输出高电平。
而cmos电平就不同了,他的阀值电压比ttl电平大很多。而串口的传输电压都是以***s电压传输的。
1,ttl电平:
输出高电平》2.4v,输出低电平<0.4v。在室温下,一般输出高电平是3.5v,输出低电平
是0.2v。最小输入高电平和低电平:输入高电平》=2.0v,输入低电平<=0.8v,噪声容限是
0.4v。
2,cmos电平:
1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0v。而且具有很宽的噪声容限。
ttl和cmos的高电平和低电平范围分别。都是多少
2楼:匿名用户
ttl集成电路使用ttl管,也就是pn结。功耗较大,驱动能力强,一般工作电压+5v
cmos集成电路使用mos管,功耗小,工作电压范围很大,一般速度也低,但是技术在改进,这已经不是问题。
就ttl与cmos电平来讲,前者属于双极型数字集成电路,其输入端与输出端均为三极管,因此它的阀值电压是<0.2v为输出低电平;>3.4v为输出高电平。
而cmos电平就不同了,他的阀值电压比ttl电平大很多。而串口的传输电压都是以***s电压传输的。
1,ttl电平:
输出高电平》2.4v,输出低电平<0.4v。在室温下,一般输出高电平是3.5v,输出低电平
是0.2v。最小输入高电平和低电平:输入高电平》=2.0v,输入低电平<=0.8v,噪声容限是
0.4v。
2,cmos电平:
1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0v。而且具有很宽的噪声容限。
ttl、cmos的高低电平的典型值是多少?两种类型电路的特点和区别。
3楼:匿名用户
1、ttl电平: 输出
bai高电du平》2.4v,输出zhi
低电平<0.4v。在室温下,一般输出高电平dao是专3.5v,输出低电平是0.2v。最小输入高
属电平和低电平:输入高电平》=2.0v,输入低电平<=0.8v,噪声容限是0.4v。
cmos电平: 逻辑高电平电压接近于电源电压,逻辑低电平接近于0v。而且具有很宽的噪声容限。
2、ttl和***s特点和区别在于:
1)ttl电路是电流控制器件,而***s电路是电压控制器件。
2)ttl电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。***s电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。***s电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。
3)***s电路的锁定效应:
***s电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,***s的内部电流能达到40ma以上,很容易烧毁芯片。
4楼:黑豹
ttl电源电压抄只能是5v,电平
大致如bai下:
输出du高电平电压≥
zhi2.7v,典型3.6v,输出低电平电压≤0.5v;
输入高电dao平电压要求>2v,输入低电平电压要求<0.8v。
cmos电源电压适应性强,一般在3~15v之间,电平大致如下:
输出高电平电压=vdd,输出低电平电压=0v。
输入高电平电压要求>0.7vdd,输入低电平电压要求<0.3vdd。
以5v电源为例,voh=5v,vol=0v,vih>3.5v,vil<1.5v。
可以看出cmos器件的电压传输特性优于ttl,并且***s器件功耗很低,但是传输速度也低于ttl器件。
随着cmos制造工艺的进步,性能日趋完善,已经占领绝大多数的市场份额,只是由于著名的74系列ttl器件影响很大,学校教学还是以此为范本,就像单片机的51系列一样。总之,让ttl牺牲吧,拥抱***s!
cmos和ttl输入端接不同的情况属于高电平还是低电平?
5楼:匿名用户
分析这个不需要考虑电阻,你可以把电阻当导线看。悬空不定,接地低,接电高。
6楼:王会川闯关东
悬空电平不确定;
下拉低电平,上拉高电平;
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