1楼:匿名用户
ea/vpp:外bai部程序存储器选择信du号,低电平有效。在复zhi位期间daocpu检测并锁存ea/vpp引脚回电平状态,当该引脚为高电答平时,从片内程序存储器读取指令,只有当程序计数器pc超出片内程序存储器地址编码范围时,才转到外部程序存储器中读取指令;当该引脚为低电平时,一律从外部程序存储器中读取指令。
其第二功能vpp为对eprom的编程电源输入。
51单片机的引脚ea 的作用是什么?
2楼:硬币小耗
ea引脚
表示存取外部程序**之意,低电平动作,当此引脚接低电平后版,系统会取用外部的程权序**(存于外部eprom中)来执行程序。ea引脚必须接低电平,因为其内部无程序存储器空间。
补充:80c51单片机属于mcs-51系列单片机,由intel公司开发,其结构是8048的延伸,改进了8048的缺点,增加了如乘(mul)、除(div)、减(subb)、比较(cmp)、16位数据指针、布尔代数运算等指令,以及串行通信能力和5个中断源。采用40引脚双列直插式dip(dual in line package),内有128个ram单元及4k的rom。
80c51有两个16位定时计数器,两个外中断,两个定时计数中断,及一个串行中断,并有4个8位并行输入口。80c51内部有时钟电路,但需要石英晶体和微调电容外接,本系统中采用12mhz的晶振频率。由于80c51的系统性能满足系统数据采集及时间精度的要求,而且产品产量丰富**广,应用也很成熟,故采用来作为控制核心。
80c51单片机**:
3楼:匿名用户
ea/vpp:外部程序存储器复选择信号,低制电平有效。在复位
期间cpu检测并锁存ea/vpp引脚电平状态,当该引脚为高电平时,从片内程序存储器读取指令,只有当程序计数器pc超出片内程序存储器地址编码范围时,才转到外部程序存储器中读取指令;当该引脚为低电平时,一律从外部程序存储器中读取指令。
4楼:
ea脚是选bai
择内程序还是du片外程序用的
,在编程时,老一zhi代的51单片机在编程dao时ea脚确实需要给
5楼:匿名用户
(/ea)/vpp:访问外部存储器控制信号。
/ea无效(高电平)时,访问内部rom,其有效时,访问内部rom。第二功能vpp为对8751的eprom的21v编程电源输入。
6楼:匿名用户
ea=external access,表示存取bai外部程序**之意,
du低电
zhi平动作,也就是说当此引脚接dao低电平后回,系统会取用外部的答程序**(存于外部eprom中)来执行程序。因此在8031及8032中,ea引脚必须接低电平,因为其内部无程序存储器空间。如果是使用 8751 内部程序空间时,此引脚要接成高电平。
此外,在将程序**烧录至8751内部eprom时,可以利用此引脚来输入21v的烧录高压(vpp)。
7楼:
选择内外rom用的,以你现在的水平的话你直接接+5v就可以正常工作了,表示是选片内rom
8楼:匿名用户
ea脚是选择内程序还是片外程序用的
单片机的引脚有哪些?
9楼:四舍**入
电源vcc、vss、vdd、vee、vpp、vddf等解释vcc:c=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压vdd:d=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压vee:
发射极电源电压, emitter voltage, 一般用于 ecl 电路的负电源电压
vss:s=series 表示公共连接的意思,通常是指电路公共接地端电压
vpp:不同芯片对vpp的定义稍有不同,比如电压峰峰值,单片机中vpp多数定义为编程电压
vddf:vddf为flash(闪存)供电的外部电压
10楼:并哥哥
电源vcc、vss、vdd、vee、vpp、vddf的区别
一、解释
vcc:c=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压;
vdd:d=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压;
vee:发射极电源电压, emitter voltage, 一般用于 ecl 电路的负电源电压.
vss:s=series 表示公共连接的意思,通常是指电路公共接地端电压。
vpp:不同芯片对vpp的定义稍有不同,比如电压峰峰值,单片机中vpp多数定义为编程电压
vddf:vddf为flash(闪存)供电的外部电压
二、说明
1、对于数字电路来说,vcc是电路的供电电压,vdd是芯片的工作电压(通常vcc>vdd),vss是接地点。
2、有些ic既有vdd引脚又有vcc引脚,说明这种器件自身带有电压转换功能。
3、在场效应管(或***s器件)中,vdd为漏极,vss为源极,vdd和vss指的是元件引脚,而不表示供电电压。
4、一般来说vcc=模拟电源,vdd=数字电源,vss=数字地,vee=负电源
另外一种解释:
vcc和vee出现在双极型晶体管电路中,和集电极(collector)发射极(emitter)有关,所以一正一负。
vdd,vss在mos电路中出现,和漏级(drain),源极(source)有关,也是一正一负。
vcc和vdd是器件的电源端。vcc是双极器件的正,vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为npn晶体管的集电极c,和pmos or nmos场效应管的漏极d。
同样你可在电路图中看见vee和vss,含义一样。因为主流芯片结构是硅npn所以vcc通常是正。如果用pnp结构vcc就为负了。
荐义选用芯片时一定要看清电气参数。
vcc **于集电极电源电压, collector voltage, 一般用于双极型晶体管, pnp 管时为负电源电压, 有时也标成 -vcc, npn 管时为正电压.
vdd **于漏极电源电压, drain voltage, 用于 mos 晶体管电路, 一般指正电源. 因为很少单独用 pmos 晶体管, 所以在 cmos 电路中 vdd 经常接在 pmos 管的源极上.
vss 源极电源电压, 在 cmos 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地.
vee 发射极电源电压, emitter voltage, 一般用于 ecl 电路的负电源电压.
vbb 基极电源电压, 用于双极晶体管的共基电路.
说法一:
vcc、vdd、vee、vss是指芯片、分解电路的电源集结点,具体接电源的极性需视器件材料而定。 vcc一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管c极,vee是指连接到集成或分解电路内部三极管的e极。 同样,vdd、vss就是指连接到集成内部、分解电路的场效应管的d和s极。
例如是采用p沟e/dmos工艺制成的集成,那么它的vdd就应接电源的负,而vss应接正电源。
它们是这样得名的:
vcc表示连接到三极管集电极(c)的电源。
vee表示连接到三极管发射极(e)的电源。
vdd表示连接到场效应管的漏极(d)的电源。
vss表示连接到场效应管的源极(s)的电源。
通常vcc和vdd为电源正,而vee和vss为电源负或者地。
说法二:
vdd,vcc,vss,vee,vpp区别
vdd:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电 路);漏极电压(场效应管)
vcc:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(voice controlled carrier)
vss:地或电源负极
vee:负电压供电;场效应管的源极(s)
vpp:编程/擦除电压。
详解:在电子电路中,vcc是电路的供电电压, vdd是芯片的工作电压:
vcc:c=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压, d=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压,在普通的电子电路中,一般vcc>vdd !
vss:s=series 表示公共连接的意思,也就是负极。
有些ic 同时有vcc和vdd, 这种器件带有电压转换功能。
在“场效应”即***s元件中,vdd乃cmos的漏极引脚,vss乃cmos的源极引脚, 这是元件引脚符号,它没有“vcc”的名称,你的问题包含3个符号,vcc / vdd /vss, 这显然是电路符号。
11楼:匿名用户
......不同类别、不同型号的单片机,管脚五花八门多种多样。你这样问问题谁都没法回答。
12楼:匿名用户
不同的单片机是不同的.上面是51系列中的典型逻辑引脚图
单片机的各个引脚都有什么功能及作用?
13楼:匿名用户
40条引脚说明如下:
(1).主电源引脚vss和vcc
·vss 接地。
·vcc 正常操作时为十5伏电源。
(2).外接晶体引脚xtal1和xtal2
·xtal1 内部振荡电路反相放大器的输入端,是外接晶体的一个引脚。当采用外部振荡器时,此引脚接地(见图2-3(b))。
·xtal2 内部振荡器的反相放大器的输出端,是外接晶体的另一端。当采用外部振荡器时,此引脚接外部振荡源。
(3).控制或与其它电源复用引脚
rst/vpd,ale/prog,psen 和ea/vpp。
·rst/vpd 当振荡器运行时。在此引脚上出现两个机器同期的高电平(由低到高跳变),将使单片机复位。
在 vcc掉电期间,此引脚可接上备用电源,由 vpd向内部 ram提供备用电源,以保持内部ram中的数据。
·ale/prog 正常操作时为ale功能(允许地址钱存),提供把地址的低字节锁存到外部锁存器。ale引脚以不变的频率(振荡周期的1/6)周期性地发出正脉冲信号。因此,它可用作对外输出的时钟,或用于定时目的。
但要注意,每当访问外部数据存储器时,将跳过一个 ale脉冲。 ale端可以驱动(吸收或输出电流)八个 lsttl电路。
对于 eprom型单片机,在 eprom编程期间,此引脚接收编程脉冲(prog功能)。
·psen 外部程序存储器读选通信号输出端。在从外部程序存储器取指令(或数据)期间;psen 在每个机器周期内两次有效。 psen 同样可以驱动八个lsttl输入。
·ea/vpp ea为内部程序存储器和外部程序存储器选择端。当ea为高电平时,访问内部程序存储器(pc值小于4k)。当ea为低电平时,则访问外部程序存储器。
对于eprom型单片机,在eprom编程期间,此引脚上加21veprom编程电源(vpp)。
(4).输入/输出引脚
p0.0~p0.7,p1.0~p1.7,p2.0~p2.7,p3.0~p3.7
·p0.0~p0.7:
p0是一个 8位漏极开路型双向 i/o口。在访问外部存储器时,它是分时传送的低字节地址和数据总线。po口能以吸收电流的方式驱动八个lsttl负载。
·p1.0~p1.7: p1是一个带有内部提升电阻的 8位准双向 i/o口。它能驱动(吸收或输出电流)四个lsttl负载。
·p2.0~p2.7: p2是一个带有内部提升电阻的8位准双向i/o口。在访问外部存储器时,它输出高8位地址。p2口可以驱动(吸收或输出电流)四个lsttl负载。
· p3.0~p3.7:p3是一个带有内部提升电阻的 8位准双向 i/o口。能驱动(吸收或输出电流)四个lsttl负载。p3口还用于第二功能请参看表2-1。
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