1楼:匿名用户
新相晶核来的形成需要克服形
源核阻力做工,即形bai核功。形核的阻力主要是du来自于zhi新生的晶胚表面。与均匀形核相比
dao非均匀形核依附于外来表面,可减少单位体积的表面能,因而使临界晶核的原子数较均匀形核少。换而言之,与均匀形核相比,非均匀形核依附于杂质表面可使形核界面能降低,因而形核可以在较小的过冷度下发生。
固态相变简答题,为什么固态相变时非均匀形核比均匀形核更容易??求解答,不要一句话就完了啊
2楼:阳光的香水萝卜
由于材料中本身存在各种晶体缺陷,这些缺陷分布又不均匀,所具有的能量高低不同,这就为非均匀形核创造了条件;同时,均匀形核所需要的形核功大,势必过冷度要相当大,这会使扩散困难,不利于均匀形核。
“均匀形核”和“非均匀形核”的异同有哪些?
3楼:匿名用户
形核的驱动力和阻力相同
临界晶核半径相等
形成临界晶核需要形核功
结构起伏和能量起伏是形核的基础
形核需要一个临界过冷度
形核率在达到极大值之前,随过冷度增大而增加。
与均匀形核相比,非均匀形核的特点:
非均匀形核与固体杂质接触,减少了表面自由能的增加
非均匀形核的晶核体积小,形核功小,形核所需结构起伏和能量起伏就小;形核容易,临界过冷度小;
非均匀形核时晶核形状和体积由临界晶核半径和接触角共同决定;临界晶核半径相同时,接触角越小,晶核体积越小,形核越容易;
非均匀形核的形核率随过冷度增大而增加
均匀形核:新相晶核是在母相中均匀地生成,即晶核由液相中的一些原子团直接形成,不受杂质粒子或外表面的影响。
非均匀成核:是指体系在外来质点,容器壁或原有晶体表面上形成的核。在此类体系中,成核几率在空间各点不同,由于模型内模型壁和杂质颗粒的作用,原子依附在其上而形核,进而降低了过冷度,使形核更加容易。
自然界中的雨雪冰雹等的形成都属于非均匀成核。
空位空位可通过加速扩散过程或释放自身能量提供形核驱动力而促进形核。此外,空位群亦可凝聚成位错而促进形核。
位错位错可通过多种形式促进形核:
1新相在位错线上形核,可借形核处位错线消失时所释放出来的能量作为相变驱动力,以降低形核功;
2新相形核时位错并不消失,而是依附于新相界面上构成半共格界面上的位错部分,以补偿错配,从而降低应变能,使形核功降低;
3溶质原子在位错线上偏聚(形成柯氏气氛),使溶质含量增高,便于满足新相形成时所需的成分条件,使新相晶核易于形成;
4位错线可作为扩散的短路通道,降低扩散激活能,从而加速形核过程;
5位错可分解形成由两个分位错与其问的层错组成的扩散位错,使其层错部分作为新相的核胚而有利于形核。
晶界大角晶界具有高的界面能,在晶界形核时可使界面能释放出来作为相变驱动力,以降低形核功。因此,固态相变时,晶界往往是形核的重要基地。晶界形核时,新相与母相的某一个晶粒有可能形成共格或半共格界面,以降低界面能,减少形核功。
这时共格的一侧往往呈平直界面,新相与母相间具有一定的取向关系。但大角晶界两侧的晶粒通常无对称关系,故晶核一般不可能同时与两侧晶粒都保持共格关系,而是一侧为共格,另一侧为非共格。为了降低界面能,非共格一侧往往呈球冠形。
均匀形核与非均匀形核的形核功有什么区别?
4楼:陌上花开
对于均匀形核,只有当过冷度△t* ≈ 0.2tm 时,才能达到有效的形核率,即此时才能观察回到液相开始凝固。
但除答非在特殊的实验条件下,一般情况下,液相在很小的过冷度△t*就开始凝固。
这主要是因为液相中存在固态杂质以及盛装液相容器的器壁存在等造成的。它们的存在将使液相中发生非均匀形核,它在很小的过冷度下就可以达到可观的形核率。
5楼:匿名用户
均匀形核就是不在杂质或者器壁结晶,而是直接通过液体本身的相起伏产生临街晶核从而生长晶体的结晶过程。而非均匀形核就是依靠液体中的固体杂质或器壁的表面能进行的结晶。通常,非均匀晶核比均匀形核容易进行。
均匀形核与非均匀形核 哪个形核率大
6楼:微谱技术
形核率是与临界形核功的大小成反比的,而均匀形核功比非均匀形核功好大得多。所以个人认为非均匀形核的形核率大。
为什么说非自发形核比自发形核容易 15
7楼:杨柳风
1)非copy均匀形核与固体杂质接触,减少了表面自由能的增加;
2)非均匀形核的晶核体积小,形核功小,形核所需结构起伏和能量起伏就小;形核容易,临界过冷度小;
3)非均匀形核时晶核形状和体积由临界晶核半径和接触角共同决定;临界晶核半径相同时,接触角越小,晶核体积越小,形核越容易;
4)非均匀形核的形核率随过冷度增大而增加,当超过极大值后下降一段然后终止;
8楼:变色的大米
非自发形核的临界形核半径与自发形核的临界形核半径相等,但非自发形核的临界形核功小于自发形核的临界形核功,非自发形核临界晶核原子数也小于自发形核临界晶核原子数,因此非自发形核比自发形核容易。
9楼:灼の飘灵
因为金属结晶过程中,非自发形核的作用往往是主要的。
为什么形核过程中一定要有能量起伏? 10
10楼:大师
1)形核的驱动力和阻力相同; 2)临界晶
核半径相等; 3)形成临界晶核需要形核功; 4)结构起伏\x0d和能量起伏是形核的基础; 5)形核需要一个临界过冷度;\x0d6)形核率在达到极大值之前,随过冷度增大而增加.与均匀形核相比,非均匀形核的特点:\x0d1)非均匀形核与固体杂质接触,减少了表面自由能的增加;\x0d2)非均匀形核的晶核体积小,形核功小,形核所需结构起伏和能量起伏就小;形核容易,临界过冷度\x0d小;3)非均匀形核时晶核形状和体积由临界晶核半径和接触角共同决定;临界晶核半径相同时,接触角越\x0d小,晶核体积越小,形核越容易;\x0d4)非均匀形核的形核率随过冷度增大而增加,当超过极大值后下降一段然后终止;此外,非均匀形核
11楼:客官里面请水瓶
就均匀形核而言,形核半径大于临界形核半径时,液固界面自由能差只能补偿表面能的2/3,体系自由能仍大于零,因此需要能量起伏补偿1/3