1楼：匿名用户
半导体的杂质对抄半导体的物理性质bai的影响du，主要影响是自由电zhi子和空穴数量的精确控制dao。简单说，杂质越多，说明物理材料中的自由电子和空穴精确控制就越差，差可以导致两个物理指标下降：1.
杂散电流随环境温度增加而增加；2.pn结的耐压程度和温度系数变劣。
杂质和缺陷对半导体电性能产生影响的机理是什么
2楼：匿名用户
施主和受主杂质可以提供载流子，增大电导率；非施主和受主杂质往往会产生复合中心，减短非平衡载流子寿命；缺陷一般是产生复合中心。各种杂质和缺陷都对载流子都有散射作用，使迁移率降低，降低电导率。参见“http:
//blog.163.***/xmx028@126/”中的有关说明。
3楼：匿名用户
半导体是硅元素是4介元素 平时不显电性是因为电子数和质子数是同等的且4个介电子相互被相邻的4个介电子束缚 当我们加入杂质如3介电子后因多出一个电子而成为自由电子 自由电子的自由运动就会产生电流 如果你参入的杂质有几万个3介原子 那自由电子的数量可想而知有多少了 自由电子对导体电性能的产生是起决定性作用的 所以有杂质和缺陷就会产生自由电子
晶体缺陷种类与半导体电的影响? 会答了 给高分。
4楼：匿名用户
半导体晶体中偏离完整结构的区域称为晶体缺陷。按其延展的尺度可回分为点缺陷答、线缺陷、面缺陷和体缺陷，这4类缺陷都属于结构缺陷。根据缺陷产生的原因可分为原生缺陷和二次缺陷。
从化学的观点看，晶体中的杂质也是缺陷，杂质还可与上述结构缺陷相互作用形成复杂的缺陷。一般情况下，晶体缺陷是指结构缺陷。
点缺陷(零维缺陷) 主要是空位、间隙原子、反位缺陷和点缺陷复合缺陷。
线缺陷(一维缺陷) 半导体晶体中的线缺陷主要是位错。
面缺陷(二维缺陷) 包括小角晶界、堆垛层错、孪晶。
体缺陷(三维缺陷) 包括空洞和微沉淀，是指宏观上与基质晶体具有不同结构、不同密度或不同化学成分的区域。
微缺陷 除上述四类结构缺陷外，还有一类以择优化学腐蚀后表面出现的以高密度浅底小坑或小丘为其腐蚀特征的一类缺陷，称为微缺陷，目前已发现的微缺陷有三类：(1)生长微缺陷；(2)热诱生微缺陷；(3)雾缺陷。
晶体缺陷会使晶体存在缺陷电阻，对半导体晶体能阶也有影响，对载流子数目存在影响
晶体缺陷在半导体材料方面的应用：如zno , fe3o4 , 掺杂半导体 , batio3半导瓷等
答的不全， 仅作为参考
5楼：匿名用户
晶体缺陷会导致电子在晶格缺陷的界面处被散射和俘获，阻碍半导体内电子空穴对的传输。同时会改变半导体的np型。对形成半导体异质结、同质结有重要的影响。
半导体中有效质量无限大有什么物理意义
1楼 匿名用户 这个问题含义很深刻。 有效质量是用来把晶体电子经典化的一个物理量，只有对能带极值附近的电子才有效 具有一定的有效质量 而对能带中部的那些电子，并不能当作为经典电子，故这时有效质量为无穷大 有效质量无意义。可见，有效质量只能应用于能带极值 能带顶和能带底 处的电子。 2楼 匿名用户 简...
半导体物理中载流子的有效质量可以是负的，为什么
1楼 电 在外场变化剧烈 其波长不能远大于晶格常数的话，就需要考虑量子效应了，经典近似即失效。 而对于晶体中的电子，一般都满足经典近似条件，故可以采用有效质量概念。实际上，能够采用有效质量 半导体物理中 载流子的有效质量可以是负的，为什么？ 有什么物理意义 2楼 匿名用户 你的这个问题是固体物理中的...
于半导体硅而言影响其迁移率的主要因素是什么
1楼 胃大人物 迁移率与散射机制有关，对半导体硅来说，最主要的散射机制是声学波散射与杂质离化散射，所以影响其迁移率的主要因素有 掺杂浓度，结晶质量，温度等 2楼 匿名用户 材料的基本性质，温度值，以及杂质的存在！ 在半导体物理中电子的迁移率与哪些因素有关 3楼 匿名用户 迁移率和单位载流子的电荷量 ...