C51控制输出PWM来驱动MOS管实现升压,求C程序

2021-01-18 10:32:15 字数 2320 阅读 3088

1楼:匿名用户

n沟道mos管单片机直接控制单片机供电电压定要充足稳定

求高手设计一个pwm升压电路,驱动mos管。

2楼:匿名用户

这是一个类似电路 ,升压用igbt比较好 ,单片机的pwm波形一般不能直接驱动mos管,驱动电流不足 一般加一个放大电路 和隔离电路

3楼:匿名用户

“升压驱动电路是否可以用光电耦合器代替?”

你是不是想说“能否用光电耦合器耦合驱动信号”?一般开关电源用的pc817之类的可能不太合适,响应速度不够。

4楼:匿名用户

看你的buck的工作频率和输出电压是多少了,600v以下的20k以下的用mos,600v和15k左右的igbt,驱动单片机没有隔离不能驱动,可以用变压器,集成驱动,也可以用驱动光耦,你去找找avago的专用驱动光耦,驱动放大除了隔离之外还要功率绝缘电压匹配,还有保护mos的作用

我要用单片机输出pwm 用ir2125驱动 控制mos管 请帮我画出电路图,标注pwm输入端和输出端

5楼:匿名用户

1,规格书应用线路比较清楚,不知道和你实际应用有什么差异2,图中vin是你pwm输入,ho就是输出控制mos3,你这个驱动需要控制mos电流时多少?输入电压呢?

你先看一下,若和你想的有差异,再告知我

http://zhidao.baidu.***/question/551760799.html?fr=uc_push&push=keyword&oldq=1

6楼:匿名用户

关于cs端怎么链接呀,是不是用专门电流检测的mos管呢,一般普通mos管都是3个脚,这个看上去4个脚

7楼:匿名用户

vcc为芯片提供的电压

to load所带的负载

up to 500v 最高输入电压500v

单片机pwm驱动mos管

8楼:匿名用户

irf540就是很常用的mos管了

特殊负载如h桥里面的双mos驱动

有专用的驱动芯片如ir2103

如果只是单个mos管的普通驱动方式

像这种增强型nmos管直接加一个电阻限流即可。

由于mos管内部有寄生电容

有时候为了加速电容放电,会在限流电阻反向并联一个二极管如图cpal

9楼:安柯傅

可以,但导通电阻较大,因为功率mos的g极最大限压30v,一般驱动电压在10~15v,比较合适,建议你通过光驱去驱动mos管。

单片机产生pwm波,控制开关管??

10楼:匿名用户

首先纠正一下你的问题,不是单片机产生的pwm波电压太低难以驱动半导体制冷片,而是驱动你的器件需要一定的功率,也就是所谓的带载能力,单片机io输出能力一般为3.3v或5v,输出电流最大为几十个ma,远远达不到制冷功率需求。你这个电路其实叫做buck开关电源电路,是一种降压型开关电源。

下面回答你的问题:

单片机的pwm波可以驱动mos管,但取决于你的mos管类型,你要看你的mos管手册里的vgs和ron之间的关系。假设单片机输出电平是3.3v,而你的mos管在vgs=3.

3时的导通阻抗可以接受,那就是可以的,否则就需要增加mos管驱动电路。

鉴于你选择的电路结构,不宜使用nmos或者igbt,应使用pmos及以下电路结构驱动pmos(见附图)

11楼:匿名用户

1最好用光电耦合,因为单片机工作需要电压较小,使用光电耦合可以使单片机电路和大功率的受控电路从电气上完全隔离2至于第二问看看资料可能你会有所选择

资料:http://wenku.baidu.***/view/f984ea86bceb19e8b8f6ba56.html

3从原理上说,电路没有问题,就是缺少反馈的机制,输出的电压可能不够稳定

12楼:匿名用户

问题1:一般用光电耦合的都是出于高低压之间的绝缘和安全考虑。你的貌似都是低压,没有必要用光耦;

问题2:用mos还是igbt得看你的工作电流和开关频率。一般电流小,频率高用mos, 电流大,开关频率低用igbt;

问题3:这个是典型的buck电路,完全可以实现你说的这些降压变换。前提是合适的开关频率,占空比,以及电感(主要是饱和)。还有,开关管的压降不能太大

问题4:看你igbt或者mos的开关速度。一般来说,是的。 因为单片机的pwm信号无法及时的开关 开关管(主要是因为开关管的输入电容充电效应)。