1楼：
很简单！
使用moc3020光耦，4、6脚串一个180欧左右的电阻接在可控硅的a1与g极之间即可。
原理：光耦的1、2没有驱动时，4、6之间断路，可控硅不会导通；当1、2之间有驱动电流，内部的发光二极管导通，4、6之间低阻，在可控硅过零点几伏时可控硅就会导通。
关于光耦控制双向可控硅的问题。
2楼：连晚竹金锦
光耦和器件，前半部分作为亮度采集探头的输入，后半部分为双向可控硅触发电路的信号输入，双向可控硅触发电路为灯的控制开关。
3楼：匿名用户
完全没理解moc3041是怎么触发可控硅的，和光耦1、2脚输入多少电流没有太大关系，1、2输入保证发光端能发光即可，4、6脚是取的交流电，交流电回路在可控硅最左边一条腿到最右边一条腿到4脚，到6脚，到中间腿，最左边一条腿和中间腿分别接交流电ln
4楼：德运
moc3041最大能承受1a的峰值输出电流，驱动bta16是没有任何问题的，为了保证安全，建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。
再就是光耦的驱动端，3041的驱动电流是15ma，3043的驱动电流是5ma，如果用单片机直接驱动，建议用3043，否则最好使用三极管驱动，为了保证寿命，还必须增加老化系数，建议3043使用7ma,3041 使用20ma,还有驱动方式，3041是过零触发器件，需要电平驱动，脉冲驱动无效，要使用脉冲驱动请重新选择光耦。
5楼：匿名用户
光耦用来驱动可控硅当然是可以的，但是不应该像你所说的那样接。正确的作法应该是：利用光耦内部的输出端三极管上接一个电阻到电源。
由三极管的集电极去驱动可控硅。这样，当有信号时三极管的控制级就从高电平跳变到低电平从而导通了。可控硅的导通有四个相限，这样接时导通效果是最佳的！
用光耦来控制 双向可控硅的控制原理
6楼：匿名用户
是图画错了？如果是这样接线的话，这个双向可控硅是长期导通的。
如果使用单片机控制双向可控硅，除了采用光耦是否还有其他方法？比如三极管？
7楼：匿名用户
如果不要求强弱电隔离的话，可以直接控制可控硅的。
事实上有好多要求不高的电器，包括出口的，各种认证的小电器产品都有用的是直接控制的，它们的电源部份往往用的是阻容降压。
炸可控硅的事，要么是选型不对，要么是接线错误；炸三极管的也同理，原理图错误更多。
至于需不需要用三极管来驱动，要看所选用的可控硅的最小驱动电流是多少，如果是几ma十几ma的则可以不用三极管而直接用io口来驱动。当然，具体的电路设计上是要有技巧的。
8楼：匿名用户
关键是双向可控硅要控制交流220v电源吧，这么高的电压必须加光耦隔离的，用其它方法都不能实现隔离，都是不安全的，肯定是不行的。而且要用双向光耦，自带过零检测电路的，如moc3063。
除非用三极管控制继电器，继电器再控制交流220v，这三极管和继电器控制线圈还可以不用隔离。
9楼：匿名用户
可以使用三极管+lm358去检测过零点触发滴。
光电耦合器和双向可控硅的问题请教
10楼：
原理？ 没啥好解释的啊！
如果控制端（24v侧）断路，光耦里的
发光二极管不发光，光耦里的触发管侧不导通，可控硅的控制极没有触发信号，可控硅不导通；
反之，如果控制端接通，光耦里的发光二极管发光，光耦里的触发管导通，可控硅的控制极得到触发信号，可控硅导通。
r2，r3的取值可以满足要求，这个取值不是太严格，只要能满足可控硅的可靠触发即可（r2、r3的取值会在一定程度上影响可控硅的导通角）。
r3也可以不用。
11楼：匿名用户
如果控制端（24v侧）断路，光耦里的发光二极管不发光，光耦里的触发管侧不导通，可控硅的控制极没有触发信号，可控硅不导通；
反之，如果控制端接通，光耦里的发光二极管发光，光耦里的触发管导通，可控硅的控制极得到触发信号，可控硅导通。
r2，r3的取值可以满足要求，这个取值不是太严格，只要能满足可控硅的可靠触发即可（r2、r3的取值会在一定程度上影响可控硅的导通角）。
r3也可以不用。
12楼：匿名用户
光藕搞得定380v耐压吗亲？如果光藕截止，那么380v直接加在上面了。不考虑可控硅，光藕导通时候，这个边路也就1k，可控硅如果不工作，这边直接烧成渣渣吧？
双向可控硅电路工作原理求解释……
13楼：流星雨的无奈
你看一下双硅的等效图就会明白的 双硅跟单硅不同 控制极加的是一个交流触发电压 触发电压来自于r2和r3的分压后 经光耦控制可控硅的导通 从而控制负载工作还是停止 在这里光耦只是起到一个无触点开关的作用 即便去掉光耦 负载也能够工作 只是停止不了 所以光耦在这里就相当于电灯的一个开关 通过调整触发脉冲频率来控制可控硅的导通角 达到控制可控硅输出电压的目的
14楼：匿名用户
以过零触发电路作为驱动模块
1、以过零触发电路作为直流调速功率放大电路的驱动模块，该模块采用光耦合隔离技术，具有结构简单，稳定性好，驱动能力强，功耗低的特点，但只能在触发信号的控制下在高压侧产生栅极驱动电压．驱动电压驱动双向可控硅通过控制触发脉冲的触发角的大小，从而实现对直流电机的调速控制。
2、双硅跟单硅不同 控制极加的是一个交流触发电压 触发电压来自于r2和r3的分压后 经光耦控制可控硅的导通 从而控制负载工作还是停止 在这里光耦只是起到一个无触点开关的作用 即便去掉光耦 负载也能够工作 只是停止不了 所以光耦在这里就相当于电灯的一个开关 通过调整触发脉冲频率来控制可控硅的导通角