如何单独对内存进行超频,关于单独超频内存

1楼：微

方法如下：

第一步：推荐参数设置

在电脑刚开机时按del键进入bios，可以看到cmos的主菜单，超频选项都在“power user overclock settings”选项中(左边第二项)

按enter键进入“power user overclock settings”选项，进行参数设置。

这里可以看到这块主板关于超频的所有选项，看起来很复杂，其实不难，平常超频只要调以下几个参数就可以。

1、 cpu clock ratio (cpu倍频调节选项)

2、 host/pci clock at next boot (cpu 外频调节选项)

3、 dram clock at next boot (内存分频选项)

注：内存分频很重要，关系到超频后的内存频率，其中1代表cpu的外频，x(比号后面的数字)代表内存频率与外频的比值。

比如cpu在300外频下，内存分频为1：1.25时的内存频率为：300×1.25×2=750(mhz)

4、 dram timming settings(内存参数调节选项)

5、 cpu vcore select (cpu电压调节选项)

cpu vcore 7-shift(cpu 步进增压选项)——初学者建议用这一种，安全一些

6、 vdimm select (内存电压调节选项)

了解了上面的超频参数以后，如果是超频新手，我推荐做如下设置

1、 dram clock at next boot为1：1.25;

2、 cpu vcore 7-shift 为+100mv;

3、 vdimm select 为 2.15v

接着选择“dram timming settings”选项进入内存参数菜单，这里是调节内存时序的地方，不同内存条的时序都不一样，量力而行就是，别调得太猛。

第二步：超频设置

前面的这些参数设置都只是超频的前戏而已，现在开始才是真正的超频，即不断的增加cpu的外频“host/pci clock at next boot”，每次加10，一点一点往上加。

每次增加外频后就按“f10”保存重启一次，直到成功进入系统后手动重启，继续增加外频，重复以上动作，直到把cpu超到理想的频率。

我的e2180很雷，外频最大只能上到250，这个400外频我是上不了的，很羡慕价钱便宜又能轻松上400外频的e2140。

第三步：稳定性检验

当超频过头不能进入系统时，以5为步进递减外频，成功进入系统后，使用orhtos软件进行烤机，测一下cpu和内存超频后稳不稳定，如果稳定了，说明超频非常成功。

能单独超频内存条吗？如果有的话，请大神给一个可行的操作方法。

2楼：匿名用户

你看cpu支持多高的内存频率，超内存频率对集成显卡有用，对独显没用

关于单独超频内存

3楼：颓废烟火

一般845e最高支持前端总线为533mhz,所以在845e上使用的内存最高也只能运行在266下,如果你的主板支持fsb\ram的分频功能,那是可以让内存和fsb工作在异频状态下的,具体要看主板品牌和bios版本而定.如果没有这项选项,可以在保证系统正常运行的前提下提高内存的运行参数(即调低内存的延迟cas,cls等参数)以提升内存性能.

4楼：笑叹沧桑

那得看你cpu了如果是533的cpu 应该可以超的

5楼：匿名用户

我晕拉内存怎么超啊？？

小弟涨见识拉

怎么给自己的内存超频？

6楼：匿名用户

1、首先要了解主板性能。主板体质如何，支持内存最高频率，以及主板芯片组或cpu内存管理模块的系统总线，最高工作频率等参数。

2、内存体质强弱。了解内存最高标准频率，时序等参数。

3、在bios中的内存参数设置选项中，将当前内存频率参数提高一个等级。如，1333修改为1666mhz。再去时序设置选项中，适当放宽内存时序t值（即增大原值，减小内存工作压力）。

超频成功后，还可再尝试提高内存频率参数档次。

4、保存修改并退出bios，重启后检查效果。失败黑屏不能启动时（老机），需清除***s参数，使用默认值重进bios，适当增加内存工作电压（微调），再试。

5、成功则喜。不成功时，分析原因，再重新细调内存参数，多次试验仍不成功，也可换条内存试试。

6、看法，不赞成内存超频。超频快感带来的，只有极限条件下的硬件痛苦，寿命减短，系统稳定性下降，可能会经常系统卡顿、莫名死机、蓝脸等。而性能提高的几个百分点是微不足道的。

若只是玩玩，无可非议；真想烧一把，去搞块支持超频的主板、内存，爽爽无妨。

7楼：匿名用户

内存超频及设置的基础知识

在我们进行内存的选购之前，我们要对影响内存性能的一些基本知识进行一个了解。

对内存的优化要从系统整体出发，不要局限于内存模组或内存芯片本身的参数，而忽略了内存子系统的其他要素。

目前的芯片组都具备多页面管理的能力，所以如果可能，请尽量选择双 p-bank 的内存模组以增加系统内存的页面数量。但怎么分辨是单 p-bank 还是双 p-bank 呢？就目前市场上的产品而言，256mb 的模组基本都是单 p-bank 的，双面但每面只有 4 颗芯片的也基本上是单 p-bank 的，512mb 的双面模组则基本都是双 p-bank的。

页面数量的计算公式为： p-bank 数量 *4，如果是 pentium4 或 amd 64 的双通道平台，则还要除以 2。比如两条单面 256mb 内存，就是 2*4=8 个页面，用在 875 上组成双通道就成了 4 个页面。

cl、trcd、trp 为绝对性能参数，在任何平台下任何时候，都应该是越小越好，调节的优化顺序是 cl → trcd → trp。

当内存页面数为 4 时，tras 设置短一些可能会更好，但最好不要小于 5。另外，短 tras 的内存性能相对于长 tras 可能会产生更大的波动性，对时钟频率的提高也相对敏感。

当内存页面数大于或等于 8 时，tras 设置长一些会更好。

对于 875 和 865 平台，双通道时页面数达到 8 或者以上时，内存性能更好。

对于非双通道 pentium4 与 amd 64 平台，tras 长短之间的性能差异要缩小。

pentium4 或 amd 64 的双通道平台下，bl=4 大多数情况下是更好的选择，其他情况下 bl=8 可能是更好的选择，请根据自己的实际应用有针对的调整。

适当加大内存刷新率可以提高内存的工作效率，但也可能降低内存的稳定性。

bios中内存相关参数的设置要领

automatic configuration“自动设置”（可能的选项：on/ off或enable/disable）

可能出现的其他描述为：dram auto、timing selectable、timing configuring by spd等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。

bank interleaving（可能的选项：off/auto/2/4）

这里的bank是指l-bank，目前的ddr ram的内存芯片都是由4个l-bank所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（auto也可以，它是根据spd中的l-bank信息来自动设置的）。

burst length“突发长度”（可能的选项：4/8）

一般而言，如果是amd athlon xp或pentium4单通道平台，建议设为8，如果是pentium4或amd 64的双通道平台，建议设为4。但具体的情况要视具体的应用而定。

cas latency “列地址选通脉冲潜伏期”（可能的选项：1.5/2/2.5/3）

bios中可能的其他描述为：tcl、cas latency time、cas timing delay。

***mand rate“首命令延迟”（可能的选项：1/2）

这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为dram ***mand rate、cmd rate等。由于目前的ddr内存的寻址，先要进行p-bank的选择（通过dimm上cs片选信号进行），然后才是l-bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在p-bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的l-bank/行激活命令，单位是时钟周期。

显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。

目前的大部分主板都会自动设置这个参数，而从上文的sciencemark 2.0测试中，大家也能察觉到容量与延迟之间的关系。

ras precharge time “行预充电时间”（可能的选项：2/3/4）

bios中的可能其他描述：trp、ras precharge、precharge to active。

ras-to-cas delay“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5）

bios中的可能其他描述： trcd、ras to cas delay、active to cmd等。

active to precharge delay“行有效至行预充电时间”（可能的选项：1……5/6/7……15）

bios中的可能其他描述：tras、row active time、precharge wait state、row active delay、row precharge delay等。根据上文的分析，这个参数要根据实际情况而定，具体设置思路见上文，并不是说越大或越小就越好。

如何单独对内存进行超频?

8楼：微