1楼：猴凭释
晶科自己不磊晶，想做高端不可能。如果把芯片正面电极做成整面镀金，后倒装，那散热就不成问题了，但是这说容易，做起来可不简单，做产品还是要简单就好，但是炒卖点就要越复杂越好 查看原帖》
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倒装有什么好处？
2楼：匿名用户
主谓倒装。在感叹句或疑问句中，为了强调谓语而将它放到句首，以加强感叹或疑问语气。
（2）宾语前置。否定句中代词充当宾语、疑问代词充当动词或介词的宾语以及用“之”字或“是”字作为提宾标志时，宾语通常都要前置。
（3）定语后置。古汉语中有时为了突出修饰语，将定语放在中心词之后。
（4）介宾结构后置
（1）主谓倒装 主谓倒装也叫谓语前置或主语后置。古汉语中。谓语的位置也和现代汉语中一样，一般放在主语之后，但有时为了强调和突出谓语的意义，在一些疑问句或感叹句中，就把谓语提前到主语前面。
例：甚矣，汝之不惠。 全句是“汝之不惠甚矣”。
谓语前置，表强调的意味，可译为“你太不聪明 了”
（2）宾语前置 文言文中，动词或介词的宾语，一般放置于动词或介词之后，有如下几种情况：
一、疑问句中，疑问代词做宾语，宾语前置。这类句子，介词的宾语也是前置的。a 介宾倒装 例：
孔文子何以谓之“文”也？ “何以”是“以何”的倒装，可译为“为什么” 微斯人，吾谁与归 ？“吾谁与归”是“吾与谁归”的倒装，可译为“我和谁同道呢？
” b谓宾倒装 例：何有于我哉？“何有”是“有何”的倒装。
古汉语中，疑问代词做宾语时，一般放在谓语的前面。可译为“有哪一样”。 孔子云：
“何陋之有？” “何陋之有”即“有何陋”的倒装。可译为“有什么简陋呢？
”“何”，疑问代词，“之”，助词，无实在意义，在这里是宾语前置的标志。
二、 文言否定句中，代词做宾语，宾语前置。例：僵卧孤村不自哀 “不自哀”是“不哀自”的倒装，可译为“不为自己感到悲哀”。
“自”，代词，在否定句中，代词做宾语要前置。另如“忌不自信”，“自信”即“信自”，意相信自己。
三、 用“之”或“是”把宾语提于动词前，以突出强调宾语。这时的“之”只是宾语前置的标志，没有什么实在意义。 例：
莲之爱，同予者何人？“莲之爱”即“爱莲”的倒装，可译为“喜爱莲花”。“之”，助词，无实在意义，在这里是宾语前置的标志。
孔子云：“何陋之有” “何陋之有”即“有何陋”的倒装。可译为“有什么简陋呢”。
“之”，助词，无实在意义，在这里是宾语前置的标志。
四、 介词“以”的宾语比较活跃，即使不是疑问代词，也可以前置，表示强调。例：是以谓之“文”也。
“是以”是“以是”的倒装，可译为“因此”。“是”是指示代词，指代前面的原因。
五、 其他，表示强调。万里赴戎机，关山度若飞 “关山度”是“度关山”的倒装。可译为“跨过一道道关，越过一道道山”。
（3）定语后置 文言文中，定语的位置一般也在中心词前边，但有时为了突出中心词的地位，强调定语所表现的内容，或使语气流畅，往往把定语放在中心词之后。
一、“中心词＋后置定语＋者” 遂率子孙荷担者三夫 ， “荷担者三夫”是“三夫荷担者”的倒装，定语“三夫”后置，以突出中心词“荷担者”，可译为“三个能挑担子的成年男子”。 峰回路转，有亭翼然临于泉上者，醉翁亭也。 “亭翼然临于泉上”是“翼然临于泉上亭 ”的倒装，定语后置，可译为“一座像鸟儿张开翅膀一样高踞在泉上的亭子。
”二、 “中心词＋之＋后置定语＋者” 例：予谓菊，花之隐逸者也。 “花之隐逸者”是“隐逸之花”的倒装。可译为“具有隐逸气质的花”
三、数量词做定语后置 例：尝贻余核舟一，“核舟一”是“一核舟”的倒装，定语“一”后置，可译为“一个核舟”
（4）介宾结构后置
一、用介词“于”组成的介宾短语在文言文中大都后置，译成现代汉语时，除少数译作补语外，大都数都要移到动词前做状语。 例：何有于我哉？
全句为“于我有何哉”的倒装句，介宾结构“于我”后置。译为“在我身上有哪一样呢”“告之于帝”是“于帝告之”的倒装，介宾结构“于帝”后置，译为“向天帝报告了这件事” 躬耕于南阳，苟全性命于乱世，全句为“于南阳躬耕，于乱世苟全性命”的倒装，介宾结构“于南阳、于乱世”后置，可译为“亲自在南阳耕种，在乱世中苟且保全性命”
二、介词“以”组成的介宾短语后置，在今译时，一般都前置做状语。例：屠惧，投以骨。
全句为“以骨投之”的倒装，介宾结构“以骨”后置。译为“把骨头扔给它” 为坛而盟，祭以尉首 。“祭以尉首”是“以尉首祭”的倒装，介宾结构“以尉首”后置，可译为“用将尉的头来祭祀” 醉能同其乐，醒能述以文者。
“述以文”是“以文述”的倒装，介宾结构“以文”后置，可译为“用文字来记述” 愿陛下托臣以讨贼兴复之效 “托臣以讨贼兴复之效”是“以讨贼兴复之效托臣”的倒装，介宾结构“以讨贼兴复之效”后置。
什么叫led倒装芯片，倒装芯片的优势
3楼：官冰洁赏涤
正装芯片抄:最早出现的芯片结
构,也是小功bai率芯片中普遍使用的du芯片结构.该结zhi构,电极在上方,从上至下dao材料为:p-gan,发光层,n-gan,衬底.
所以,相对倒装来说就是正装;
倒装芯片:为了避免正装芯片中因电极挤占发光面积从而影响发光效率,芯片研发人员设计了倒装结构,即把正装芯片倒置,使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出(衬底最终被剥去,芯片材料是透明的),同时,针对倒装设计出方便led封装厂焊线的结构,从而,整个芯片称为倒装芯片(flip
chip),该结构在大功率芯片较多用到.
以上仅作简介,谢谢!
电极：分为正、负极，统称电极；
极性：指电极是正极还是负极，是对电极的描述。
大家经常会这样问：电极的极性是什么？
希望能解答你的疑惑。
4楼：匿名用户
先说正抄装晶片，正装晶片的焊线都在袭发光面，衬底通过银胶
与支架粘结，引脚与pad通过金线键合在一起。这样的结构会导致发光面积变小，金线也会遮挡光线。
倒装晶片的pad在衬底一侧，省掉了焊线的工艺，但增加了固晶在精度方面的要求，不利于提高良率。正面全部为发光面，没有pad遮光，光效有较大提升。
倒装技术设备多少钱
5楼：落落无尘
看是什么设备，反正一般能赚个3--5万，如果是那种精度很高的话可以搞个10来万
6楼：匿名用户
什么样的倒装技术？？？？
倒装焊芯片是什么意思
7楼：楼主跟我来搞基
倒装焊芯片(flip-chip)是什么意思
flip chip既是一种芯片互连技术，又是一种理想的芯片粘接技术．早在30年前ibm公司已研发使用了这项技术。但直到近几年来，flip-chip已成为高端器件及高密度封装领域中经常采用的封装形式。今天，flip-chip封装技术的应用范围日益广泛，封装形式更趋多样化，对flip-chip封装技术的要求也随之提高。
同时，flip-chip也向制造者提出了一系列新的严峻挑战，为这项复杂的技术提供封装，组装及测试的可靠支持。以往的一级封闭技术都是将芯片的有源区面朝上，背对基板和贴后键合，如引线健合和载带自动健全（tab）。fc则将芯片有源区面对基板，通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点实现芯片与衬底的互连．硅片直接以倒扣方式安装到pcb从硅片向四周引出i／o，互联的长度大大缩短，减小了rc延迟，有效地提高了电性能．显然，这种芯片互连方式能提供更高的i／o密度．倒装占有面积几乎与芯片大小一致．在所有表面安装技术中，倒装芯片可以达到最小、最薄的封装。
而fc-bga（flip chip ball grid array：倒装芯片球栅格阵列）是一种较新的支持表明安装板的封装形式，采用c4可控塌陷芯片法焊接，大幅度改善电器性能，据称能提高封装成品率（没有查到具体数据是多少）。这种封装允许直接连接到底层，具体来说由倒装在元件底部上的硅核组成，使用金属球代替原先的针脚来连接处理器，如果把焊接比喻成缝衣的话，那么这种焊接方式可以让针脚均匀一致，连接距离更短引脚间距增大，避免了虚焊和针脚弯曲弯曲现象。
fc-bga封装共使用了479个直径仅为0.78毫米的封装球使得封装高度大为减小，怎么样，“针脚”的确够小吧？采用这种工艺带来的好处也是很明显的：
那就是可以大大减小芯片封装后的尺寸（核心/封装比可做到1：1.5）令核心外露，热传导效率增加，毫无疑问，这种工艺非常适合高速芯片的封装。
除此以外，因为芯片的引脚是由中心方向引出的，和基板距离缩短，因此干扰少，电信号传递更快速稳定而纯净，十分有助于超频。目前台湾主要的封装厂如全懋、日月光、景硕、南亚等都有能力做fc-bga封装。当然喽，成本方面，fc-bga比wirebond封装要贵上许多（2.
5美圆vs1美圆）！下面就是两种封装能达到的频率理论值：
封装形式 wirbond fc-bga
理论极限频率* 400mhz 580mhz
* 频率和晶体管数目/功耗等密切相关，以上注明的频率均针对vpu
我们看到，fc-bga封装的理论极限大概是wirbond的1.45倍！
普通版本的fx5600xt核心的售价是47美圆，fc-bga封装的vpu要贵近20美圆，出货量之比是100：1，十分稀少。
flip chip又称倒装片，是在i/o pad上沉积锡铅球，然后将芯片翻转佳热利用熔融的锡铅球与陶瓷机板相结合此技术替换常规打线接合，逐渐成为未来的封装主流，当前主要应用于高时脉的cpu、gpu(graphicprocessor unit)及chipset 等产品为主。与cob相比，该封装形式的芯片结构和i/o端（锡球）方向朝下，由于i/o引出端分布于整个芯片表面，故在封装密度和处理速度上flip chip已达到顶峰，特别是它可以采用类似**t技术的手段来加工，因此是芯片封装技术及高密度安装的最终方向。
倒装片连接有三种主要类型c4(controlled collapse chip connection)、dca(direct chip attach)和fcaa(flip chip adhesive attachement)。
c4是类似超细间距bga的一种形式与硅片连接的焊球阵列一般的间距为0.23、 0.254mm。
焊球直径为0.102、0.127mm。
焊球组份为97pb/3sn。这些焊球在硅片上可以呈完全分布或部分分布。
由于陶瓷可以承受较高的回流温度，因此陶瓷被用来作为c4连接的基材，通常是在陶瓷的表面上预先分布有镀au或sn的连接盘，然后进行c4形式的倒装片连接。c4连接的优点在于：
1）具有优良的电性能和热特性
2）在中等焊球间距的情况下，i／o数可以很高3）不受焊盘尺寸的限制
4）可以适于批量生产
5）可大大减小尺寸和重量
dca和c4类似是一种超细间距连接。dca的硅片和c4连接中的硅片结构相同，两者之间的唯一区别在于基材的选择。dca采用的基材是典型的印制材料。
dca的焊球组份是97pb/sn，连接焊接盘上的焊料是共晶焊料（37pb/63sn)。对于dca由于间距仅为0.203、0.
254mm共晶焊料漏印到连接焊盘上相当困难，所以取代焊膏漏印这种方式，在组装前给连接焊盘顶镀上铅锡焊料，焊盘上的焊料体积要求十分严格，通常要比其它超细间距元件所用的焊料多。在连接焊盘上0.051、0.
102mm厚的焊料由于是预镀的，一般略呈圆顶状，必须要在贴片前整平，否则会影响焊球和焊盘的可靠对位。
fcaa连接存在多种形式，当前仍处于初期开发阶段。硅片与基材之间的连接不采用焊料，而是用胶来代替。这种连接中的硅片底部可以有焊球，也可以采用焊料凸点等结构。
fcaa所用的胶包括各向同性和各向异性等多种类型，主要取决于实际应用中的连接状况，另外，基材的选用通常有陶瓷，印刷板材料和柔性电路板。倒装芯片技术是当今最先进的微电子封装技术之一。它将电路组装密度提升到了一个新高度，随着21世纪电子产品体积的进一步缩小，倒装芯片的应用将会越来越广泛。
flip-chip封装技术与传统的引线键合工艺相比具有许多明显的优点,包括,优越的电学及热学性能,高i/o引脚数，封装尺寸减小等。
flip-chip封装技术的热学性能明显优越于常规使用的引线键合工艺。如今许多电子器件；asic，微处理器，soc等封装耗散功率10-25w，甚至更大。而增强散热型引线键合的bga器件的耗散功率仅5-10w。
按照工作条件，散热要求（最大结温），环境温度及空气流量，封装参数（如使用外装热沉，封装及尺寸，基板层数，球引脚数）等，相比之下，flip-chip封装通常能产生25w耗散功率。
flip-chip封装杰出的热学性能是由低热阻的散热盘及结构决定的。芯片产生的热量通过散热球脚，内部及外部的热沉实现热量耗散。散热盘与芯片面的紧密接触得到低的结温（θjc）。
为减少散热盘与芯片间的热阻，在两者之间使用高导热胶体。使得封装内热量更容易耗散。为更进一步改进散热性能，外部热沉可直接安装在散热盘上，以获得封装低的结温（θjc）。
flip-chip封装另一个重要优点是电学性能。引线键合工艺已成为高频及某些应用的瓶颈，使用flip-chip封装技术改进了电学性能。如今许多电子器件工作在高频，因此信号的完整性是一个重要因素。
在过去，2-3ghz是ic封装的频率上限，flip-chip封装根据使用的基板技术可高达10-40 ghz 。