1楼：爱疆智能
从两方面考虑，第一是否为产品不良组件或封装过程对组件造成损害；第二测试设备是否异常；
2楼：刀无极啊
双系统寨板用户说说z3735的安卓好用
光伏iv曲线图是怎么回事?
3楼：德国gmc高美测仪
2、通常通过测iv特性，可以得到如下信息：
组串开路电压（voc）和短路电流（isc）以及极性最大功率点电压（vmpp）、电流（impp）和峰值功率（pmax）光伏组件/组串填充系数ff
识别光伏组件/阵列缺陷或遮光等问题
积尘损失、温升损失，功率衰减、串并联适配损失计算等
4楼：匿名用户
光伏iv曲线是指太阳能电池板输出电流与输出电压的关系，当输出电压增加时，电流在一定阶段保持恒定，随即急剧下降，因此通过iv曲线找出太阳能电池板的最大功率点，是很有必要的。
同时，iv曲线收到温度影响比较明显，如图所示
5楼：匿名用户
就是太阳能电池板的输出电压和输出电流的关系曲线，太阳能电池板输出电压从零到开路电压期间对应的电流大小的曲线
通过半导体二极管的iv曲线能读出其四个主要参数么?
6楼：匿名用户
不行，，，
上面那个是，正向电流if与压降vf的曲线。。。
光伏组件的电性能测试（iv曲线）说涉及的标准有哪些？ 5
7楼：德国gmc高美测仪
2、另外还有些国内和iec的标准请查看
8楼：
我知道的有 iec61730
你可以到文库上去搜索看看
希望对你有帮助！
9楼：匿名用户
iec61215
iec61730
ul1703
10楼：匿名用户
标准条件： am1.5, 1000 w/m2, 25℃
自制太阳能电池在太阳能电池组件测试仪上测试i-v曲线为一条直线，真心求助 10
11楼：匿名用户
1、图像不完整bai是因为du
接触电阻大，可以通zhi过测试机dao参数调整来解决，但这个值基专本属不影响电池的整体功率表现
2、电流低原因，1.无氮化硅，氮化硅可以减少光的反射，甚至钝化效果2）印刷的栅线宽度问题，遮光可能太大 3）烧结问题
如何测试太阳能电池的iv特性曲线
12楼：德国gmc高美测仪
当然是用光伏专用的iv特性曲线测试仪来测，当然如果有时间也可以自己搭建一个小的测试系统，但是精度难保证，而且需要推算stc功率值的，需要内置算法进去。
13楼：唯薆艳
太阳能光伏电池实验讲义
一、实验目的
1、了解pn结基本结构与工作原理；
2、了解太阳能电池的基本结构，理解工作原理；
3、掌握pn结的伏安特性及伏安特性对温度的依赖关系；
4、掌握太阳能电池基本特性参数测试原理与方法，了解光源波长、温度等因素对太阳能电池
特性的影响；
5、通过分析pn结、太阳能电池基本特性参数测试数据，进一步熟悉实验数据分析与处理的方法，分析实验数据与理论结果间存在差异的原因。
二、实验原理
1、光生伏特效应
半导体材料是一类特殊的材料，从宏观电学性质上说它们导电能力在导体和绝缘体之间，导电能力随外界环境（如温度、光照等）发生剧烈的变化。半导体材料具有负的带电阻温度系数。从材料结构特点说，这类材料具有半满导带、价带和半满带隙，温度、光照等因素可以使价带电子跃迁到导带，改变材料的电学性质。
通常情况下，都需要对半导体材料进行必要的掺杂处理，调整它们的电学特性，以便制作出性能更稳定、灵敏度更高、功耗更低的电子器件。基于半导体材料电子器件的核心结构通常是pn结，pn结简单说就是p型半导体和n型半导体的基础区域，太阳能电池本质上就是pn结。
常见的太阳能电池从结构上说是一种浅结深、大面积的pn结。太阳能电池之所以能够完成光电转换过程，核心物理效应是光生伏特效应。这种效应是半导体材料的一种通性。
如图1所示，当特定频率的光辐照到一块非均匀半导体上时，由于内建电场的作用，载流子重新分布导致半导体材料内部产生电动势。如果构成回路就会产生电流。这种电流叫做光生电流，这种内建电场引起的光电效应就是光生伏特效应。
非均匀半导体就是指材料内部杂质分布不均匀的半导体。pn结是典型的一个例子。n型半导体材料和p型半导体材料接触形成pn结。
pn结根据制备方法、杂质在体内分布特征等有不同的分类。制备方法有合金法、扩散法、生长法、离子注入法等等。杂质分布可能是线性分布的，也可能是存在突变的，pn结的杂质分布特征通常是与制备方法相联系的，不同的制备方法导致不同的杂质分布特征。
图1 pn结结构示意图
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根据半导体基本理论，处于热平衡态的pn结结构由p区、n区和两者交界区域构成。为了维持统一的费米能级，p区内空穴向n区扩散，n区内空穴向p区扩散。载流子的定向运动导致原来的电中性条件被破坏，p区积累了带有负电的不可动电离受主，n区积累了不可能电离施主。
载流子扩散运动的结果导致p区带负电，n区带正电，在界面附近区域形成由n区指向p区的内建电场和相应的空间电荷区。显然，两者费米能级的不统一是导致电子空穴扩散的原因，电子空穴扩散又导致出现空间电荷区和内建电场。而内建电场的强度取决于空间电荷区的电场强度，内建电场具有阻止扩散运动进一步发生的作用。
当两者具有统一费米能级后扩散运动和内建电场的作用相等，p区和n区两端产生一个高度为qvd的势垒。理想pn结模型下，处于热平衡的pn结空间电荷区没有载流子，也没有载流子的产生与复合作用。
当有入射光垂直入射到pn结，只要pn结结深比较浅，入射光子会透过pn结区域甚至能深入半导体内部。如图2所示，如果入射光子能量满足关系heg（eg为半导体材料的禁带宽度），那么这些光子会被材料本征吸收，在pn结中产生电子空穴对。光照条件下材料体内产生电子空穴对是典型的非平衡载流子光注入作用。
光生载流子对p区空穴和n区电子这样的多数载流子的浓度影响是很小的，可以忽略不计。但是对少数载流子将产生显著影响，如p区电子和n区空穴。在均匀半导体中光照射下也会产生电子空穴对，它们很快又会通过各种复合机制复合。
在pn结中情况有所不同，主要原因是存在内建电场。内建电场的驱动下p区光生少子电子向n区运动，n区光生少子空穴向p区运动。这种作用有两方面的体现，第一是光生少子在内建电场驱动下定向运动产生电流，这就是光生电流，它由电子电流和空穴电流组成，方向都是由n区指向p区，与内建电场方向一致；第二，光生少子的定向运动与扩散运动方向相反，减弱了扩散运动的强度，pn结势垒高度降低，甚至会完全消失。
宏观的效果是在pn结两端产生电动势，也就是光生电动势。
图2 光辐照下的pn结
光辐照pn结会使得pn结势垒高度降低甚至消失，这个作用完全等价于在pn结两端施加正向电压。这种情况下的pn结就是一个光电池。开路下pn结两端的电压叫做开路电压voc，闭路下这种pn结等价于一个电源，对应的电流isc称为闭路电流。
光生伏特效应就是光能转化为电能的过程，开路电压和闭路电流是两个基本的参数。
2、太阳能电池无光照情况下的电流、电压关系－（暗特性）
太阳能电池是依据光生伏特效应把太阳能或者光能转化为电能的半导体器件。如果没有光照，太阳能电池等价于一个pn结。通常把无光照情况下太阳能电池的电流电压特性叫做暗特性。
近似地，可以把无光照情况下的太阳能电池等价于一个理想p
14楼：逄新柔房鸥
以下是参数，
■可模拟太阳能电池板输出特性(i-v
p-v曲线)；
■可存储不同光照和温度下的i-v曲线1000条，每一条有128个点，点的分布具有智能化（最大功率点附近密，两边稀），
■具有恒功率模式，可单独设置最大电压、电流以及功率；
■具有恒阻模式，可对内阻进行设定；
■准确的电压和电流测量让你省下额外的测量仪器；
■稳压精度高、纹波电压低；
■可快速存储9组数据，每组可记忆电压值、电流值，功率值，可快速方便调用；
■具有过压、过流、过温、短路保护功能；其中过压保护界限和过流保护界限在0-110%的额定电压和0-110%的额定电流是可任意设定的。
■电压、电流、时间设定，数字式按键输入，精确度高；
■本机一次可执行30组不同电压、电流、功率值设定，
并可作连续作999999次循环测试；
■具有rs232c通讯接口（rs485,gpib为可选），指令执行时间小于10ms。
■模拟i-v曲线
■模拟各个时间段i-v曲线，更好的测试光伏逆变器动态m***功能。
两端都是肖特基接触的话，iv曲线是什么样子的呢
15楼：浮华与肤浅
肖特基接触 肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。
iv曲线测试pn节的样品要求？
16楼：匿名用户
如果是si/sio2/半导体薄膜，这样一个三层结构可以测iv特性吗？我看文献有的曲线横坐标是正负电压，有的只有一个正电压这有什么区别吗？
17楼：匿名用户
三层结构当然可以,测试要求一样,一般异质结的iv曲线采用正负偏压区曲线来表示, 只有一个正电压的曲线,其负偏压的测试结果也用正的电压来做曲线,看到的是两条曲线
如何用软件**nmos的iv特性曲线
18楼：nexus科技
可以选用spice之类的**软件，比较常用而且免费的是ltspice. 在电路图中设置好nmos的栅极，漏极电源，如图所示。就可以**了。