单片机PWM驱动mos管,单片机的PWM输出可以直接驱动MOS管吗?

2020-11-30 15:14:02 字数 3598 阅读 2361

1楼:匿名用户

irf540就是很常用的mos管了

特殊负载如h桥里面的双mos驱动

有专用的驱动芯片如ir2103

如果只是单个mos管的普通驱动方式

像这种增强型nmos管直接加一个电阻限流即可。

由于mos管内部有寄生电容

有时候为了加速电容放电,会在限流电阻反向并联一个二极管如图cpal

2楼:安柯傅

可以,但导通电阻较大,因为功率mos的g极最大限压30v,一般驱动电压在10~15v,比较合适,建议你通过光驱去驱动mos管。

单片机的pwm输出可以直接驱动mos管吗?

3楼:匿名用户

可以,但导通电阻较大,因为功率mos的g极最大限压30v,一般驱动电压在10~15v,比较合适,建议你通过光驱去驱动mos管。

4楼:匿名用户

本我可回你并我相信可帮你解决的,可近这的bug太凶,昨天我约十个最佳回答被bug了,今天又回的几个问题被 bug了,并且祸及提问人,为了你的好,改天这bug休息时我回你!// 在这回的人中好象就有一个是,反正乱回的可还是高级别的就有嫌

单片机的pwm输出可以直接驱动mos管吗

5楼:匿名用户

要具体看是怎样的mos管了.....若是大功率的管子,比如做变频器或电源之类的,那是要加驱动的,若是做试验的小功率管子,比如只是点亮个灯或者什么的,就可以直接驱动了.

6楼:匿名用户

一般都是要加驱动电路的,但是对于mos管,因为其需要的电压低,不加驱动也可。

7楼:泽泽幺儿

mos管要看参数的 一般要放大和隔离的

单片机pwm驱动mos管的问题 30

8楼:烟火夜空

mos管内阻很小,普通的有 40mω 左右,导通电流支持20a;

好的能到4mω左右,导通电流支持80a;

10a电流 在普通的 mos管上产生的压降为 0.4v,不足以影响负载吧?门极导通电压为2.

1v~4v,标称3v;3.7v的锂电池,饱和是4.2v,选择3.

3v工作的单片机,足够驱动了。

真正要考虑的是电池的负载能力,10a的瞬态输出,及3a的持续输出,电池负载能力不足的话,电压会瞬间跌落,很可能低于3v。解决方法:

①增大电源电路的退耦电容容量;

优点:在电池电压**的瞬间,释放大量电量维持电压,保持单片机正常工作;

缺点:治标不治本,电容电量来自电池,充电时会消耗大量电池电量,需要常充电的电池;

②采用负载输出能力强的电池;

优点:从根本上解决负载能力不足导致电压**的现象;

缺点:造价不便宜;

求单片机pwm通过光耦驱动mos管的电路。

9楼:

不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路,有诸多麻烦。

建议使用 tlp250 或类似芯片。

单片机的pwm信号能直接驱动mosfet管吗

10楼:山巅的淡蓝

对于vds不高功率不大的mosfet来说用5v的ttl电平可以直接驱动(只限于不需要隔离的电路)。如果不符合上述条件就必须使用mosfet或igbt专用驱动光偶或ic,并在2次电路采用隔离供电。

11楼:匿名用户

看你的mos管参数了

12楼:执子之手

可以的,你仔细看看stc的数据手册

求高手设计一个pwm升压电路,驱动mos管。

13楼:匿名用户

这是一个类似电路 ,升压用igbt比较好 ,单片机的pwm波形一般不能直接驱动mos管,驱动电流不足 一般加一个放大电路 和隔离电路

14楼:匿名用户

“升压驱动电路是否可以用光电耦合器代替?”

你是不是想说“能否用光电耦合器耦合驱动信号”?一般开关电源用的pc817之类的可能不太合适,响应速度不够。

15楼:匿名用户

看你的buck的工作频率和输出电压是多少了,600v以下的20k以下的用mos,600v和15k左右的igbt,驱动单片机没有隔离不能驱动,可以用变压器,集成驱动,也可以用驱动光耦,你去找找avago的专用驱动光耦,驱动放大除了隔离之外还要功率绝缘电压匹配,还有保护mos的作用

单片机产生pwm波,控制开关管??

16楼:匿名用户

首先纠正一下你的问题,不是单片机产生的pwm波电压太低难以驱动半导体制冷片,而是驱动你的器件需要一定的功率,也就是所谓的带载能力,单片机io输出能力一般为3.3v或5v,输出电流最大为几十个ma,远远达不到制冷功率需求。你这个电路其实叫做buck开关电源电路,是一种降压型开关电源。

下面回答你的问题:

单片机的pwm波可以驱动mos管,但取决于你的mos管类型,你要看你的mos管手册里的vgs和ron之间的关系。假设单片机输出电平是3.3v,而你的mos管在vgs=3.

3时的导通阻抗可以接受,那就是可以的,否则就需要增加mos管驱动电路。

鉴于你选择的电路结构,不宜使用nmos或者igbt,应使用pmos及以下电路结构驱动pmos(见附图)

17楼:匿名用户

1最好用光电耦合,因为单片机工作需要电压较小,使用光电耦合可以使单片机电路和大功率的受控电路从电气上完全隔离2至于第二问看看资料可能你会有所选择

资料:http://wenku.baidu.***/view/f984ea86bceb19e8b8f6ba56.html

3从原理上说,电路没有问题,就是缺少反馈的机制,输出的电压可能不够稳定

18楼:匿名用户

问题1:一般用光电耦合的都是出于高低压之间的绝缘和安全考虑。你的貌似都是低压,没有必要用光耦;

问题2:用mos还是igbt得看你的工作电流和开关频率。一般电流小,频率高用mos, 电流大,开关频率低用igbt;

问题3:这个是典型的buck电路,完全可以实现你说的这些降压变换。前提是合适的开关频率,占空比,以及电感(主要是饱和)。还有,开关管的压降不能太大

问题4:看你igbt或者mos的开关速度。一般来说,是的。 因为单片机的pwm信号无法及时的开关 开关管(主要是因为开关管的输入电容充电效应)。

如果想用单片机输出高频pwm波,直接驱动mosfet管,那pwm控制器还用加吗?pwm控制器是做什么的呢?

19楼:匿名用户

单片机驱动mos 是n沟道吧,是ttl电平的mos吗?如果不是一定要加驱动电路,快速的打开和关闭。不能直接接

20楼:匿名用户

肖特基是用来防止驱动过压的,如果驱动因外界原因产生尖峰脉冲,没有肖特基,会使mos管过栅极过压,导通时间过长,从而烧毁mos管。加肖特基可以防止。

21楼:——杉林

看电路图吧,这个电路我用过的。

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