1楼：匿名用户
所谓晶体管是指用硅和锗材料做成的半导体元器件，研制人员在为这种器件命名时，想到它的电阻变换特性，于是取名为trans-resister(转换电阻)，后来缩写为transistor，中文译名就是晶体管。
严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。因此，三极管是晶体管的一种。
在日常生活中，晶体管有时多指晶体三极管。比如我们说的6晶体管超外差式中波收音机，实际是指6三极管超外差式中波收音机。
2楼：可轩
三极管，是晶体管其中一种。
晶体管与三极管的区别是什么
3楼：柒月黑瞳
三极管和场效应管统称为晶体管，三极管是晶体管的一种，二极管也是晶体管，这一点是根据其实质来说的。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结，两个pn结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种。可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。
4楼：匿名用户
三极管顾名思义就是由三个极。
三极管有电子管和晶体管之分。
5楼：风雨千夜
中文中，晶体管一般泛指以硅，锗为材料的的二极管，三极管等。
英文中，晶体管就是指硅，锗为材料的三极管
6楼：阿仁洋洋
就是人跟男人，女人，老人，洋人，鸟人的区别。
7楼：世钊聊灵慧
晶体管是一个大门类，广义上可以指所有的半导体分立元件，包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管，还有各种各样闻所未闻的元器件。
三极管是最典型的一种晶体管。
集成电路不一定由三极管组成，比如像逻辑电路里面的cd4011，cd4069之类的，都是由另外一种经典的晶体管——场效应管组成。所以你可以说，集成电路集成了若干个晶体管，而不能说它集成了若干个三极管，也许它里面还真没有一个三极管呢。
什么是三极管，什么是晶体管，有何区别？
8楼：晨看夕阳
晶体管是只一个概称，三极管只是晶体管其中的一种，二极管，硅堆，场管等等，都属于晶体管。
就像酒一样，酒也只是一个概称，酒又分红酒，白酒，调合酒。但它们都是酒。
9楼：匿名用户
不是贴片元件的三极管是有三条腿 分别分为集电极 发射极 基极 贴片元件的三极管有桥堆式的有三条腿的 但是不怎么好区分
10楼：代
引用模电第三版里第一章第3小节的第一句话吧，不一定能解决问题——双极型晶体管又称晶体三极管、半导体三极管等，后面简称晶体管
11楼：匿名用户
**管是掺杂晶体管，也可以叫杂晶管。晶体管就是由结晶体构成的元件。结晶就是由同种元素结晶而成。
具体可以去查查结晶体得构成。**管是在一块结晶体上用掺杂的方法制成，二像fet则是用两块结晶体中间夹块较薄的pn结的硅片制成
mos管和三极管有什么区别？
12楼：學雅思
一、主体不同
1、mos管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。
2、三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
二、作用不同
1、mos管：管分为pmos管和nmos管，属于绝缘栅场效应管。
2、三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三、特点不同
1、mos管：mos管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，都是在p型backgate中形成的n型区。
2、三极管：是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结，两个pn结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种。
13楼：**ile灬微光丶
区别：1、载流子：
三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
mos管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子
2、成本：三极管便宜，mos管贵
3、损耗：三极管损耗大，mos管损耗小
4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路
5、速度：mos管开关速度不高，三极管开关速度高
6、工作性质：三极管用电流控制，mos管属于电压控制
7、阻抗：三极管输入阻抗小，mos管输入阻抗大。
8、频率特性：mos管的频率特性不如三极管。
扩展资料
三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。mos管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
mos管不仅可以做开关电路，也可以做模拟放大，因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。
mos管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。
三极管开关速度高，大型三极管的ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。
一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑mos管。
14楼：匿名用户
mos管和三极管有什么区别如下：
1、控制原理不同
mos管用电压控制，三极管用电流控制。
2、成本造价不同
mos管造价贵，三极管造价低。
3、功率消耗不同
mos管功耗低，三极管功耗大。
4、驱动能力不同
mos管常用于电源开关以及大电流地方开关电路，三极管常用于电源开关以及小电流地方开关电路。
15楼：安全护航
mos管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。
三极管开关速度高，大型三极管的ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。
场效应管与**管的比较：
1）场效应管是电压控制元件，而**管是电流控制元件；
2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称为单极性器件，而**管既有多子，也有少子导电，称之为双极性器件
3）场效应管灵活性比**管好；
4）场效应管的制造工艺更适合于集成电路。
mosfet和双极型三极管相类似，电极对应关系是bg、es、cd；由fet组成的放大电路也和三极管放大电路相类似，三极管放大电路基极回路需要一个偏置电流(偏流)，而fet放大电路的场效应管栅极没有电流，所以，fet放大电路的栅极回路需要一个合适的偏置电压(偏压)。fet组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别在于：场效应管是电压控制型器件，靠栅源之间的电压变化来控制漏极电流的变化，放大作用以跨导来体现；三极管是电流控制型器件，靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化，放大作用由电流放大倍数来体现。
场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。在分析三种组态时，可与双极型三极管的共射、共集、共基对照。
16楼：阿迪卡法兰克福
1、工作性质：三极管用电流控制，mos管属于电压控制.
2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大。
4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
mos管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑mos管
实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.
7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的pn的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。
三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
（5）场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
（6）场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的
17楼：下一站转角
.场效应管是单极、三极管是双极区别.
18楼：那郎荣碧白
三极管bjt与场效应管fet的区别很多，简单列出几条：
1、bjt放大电流，fet将栅极电回
压转答换为漏极电流。
bjt第一参数是电流放大倍数β值，fet第一参数是跨导gm；
2、bjt线性较差，fet线性较好；
3、bjt噪声较大，fet噪声较小；
4、bjt极性只有npn和pnp两类，fet极性有n沟道、p沟道，还有耗尽型和增强型
所以fet选型和使用都比较复杂；
5、bjt输入电阻小，消耗电流大，fet输入电阻很大，几乎不消耗电流；
总的看，无论在分立元件电路还是集成电路中，fet替代bjt都是一个大趋势。