二极管伏安特性的物理意义是什么?简洁一点

2020-11-22 15:02:59 字数 4287 阅读 3754

1楼:

正向特性:可导通,但电压需超过死区电压(门槛电压)

反向特性:不导通,但如果电压超出一定值会反向击穿

2楼:深圳桔子

整流,以及负载极性保护,负载电压保护(稳压二极管)

二极管伏安特性物理意义是什么?

3楼:八声

半导体二极管最重要的特性是单向导电性。即当外加正向电压时,它呈现的电阻(正向电阻)比较小,通过的电流比较大,当外加反向电压时,它呈现的电阻(反向电阻)很大,通过的电流很小(通常可以忽略不计)。反映二极管的电流随电压变化的关系曲线,叫做二极管的伏安特性,如图10-2所示。

图10-2中右上方为正向伏安特性,左下方为反向伏安特性。当外加正向电压时,随着电压u的逐渐增加,电流i也增加。但在开始的一段,由于外加电压很低。

外电场不能克服pn结的内电场,半导体中的多数载流子不能顺利通过阻挡层,所以这时的正向电流极小(见曲线的oa段,该段所对应的电压称为死区电压,硅管的死区电压约为0~0.5伏,锗管的死区电压约为0~0.2伏)。当外加电压超过死区电压以后,外电场强于pn结的内电场,多数载流子大量通过阻挡层,使正向电流随电压很快增长(曲线中的ab段)。当外加反向电压时,所加的反向电压加强了内电场对多数载流子的阻挡,所以二极管中几乎没有电流通过。

但是这时的外电场能促使少数载流子漂移,所以少数载流子形成很小的反向电流(曲线中的oc段)。由于少数载流子数量有限,只要加不大的反向电压就可以使全部少数载流子越过pn结而形成反向饱和电流,继续升高反向电压时反向电流几乎不再增大(曲线中的cd段)。当反向电压增大到某一值(曲线中的d点)以后,反向电流会突然增大,这种现象叫反向击穿,这时二极管失去单向导电性。

所以一般二极管在电路中工作时,其反向电压任何时候都必须小于其反向击穿时的电压。

4楼:兔子

二级管的伏安特性分为正想特性和反向特性。

正向特性用于二极管的单向导电性。稳压管一般用他的反向特性,即工作在反向击穿区。

二极管的伏安特性曲线的特征及其物理意义

5楼:匿名用户

二极管的

伏安特性曲线的特征

1、二极管具有单向导电性;

2、 二极管的伏安特性具有非线性;

3、二极管的伏安特性与温度有关。

在二极管两端加一定数值的电压,就有一定的电流流过二极管。如果在直角坐标图上以x轴(横轴)表示电压,以y轴(纵轴)表示电流,就可以在坐标图上画出与上述电压、电流数值相对应的一点,这一点的横坐标是电压数值,纵坐标是电流数值。改变二极管上所加电压的数值,就可以得到对应的电流数值,同时可以在坐标上得到许多对应的点,将这些点连起来,就画出了二极管的电流随二极管上所加电压变化而变化的曲线,这条曲线就叫二极管的伏安特性曲线。

当在二极管的两端加上正向电压时,二极管中就会有电流流过,电流的大小与加在两端电压的大小有关,如曲线中的oa段。但由于所加电压较小,不足以克服结电场对晶体中载流子扩散的阻挡作用,因而正向电流增加很小。当外加电压继续增加到一定数值时(硅管约0.

7v,锗管为0.3v),结电场几乎被完全抵消,因而使二极管内阻变小,正向电流急剧增加,如图中曲线的ab段所示,曲线变得很陡,电流的增大和电压的增加成线性关系。这时,对应于b点的电流if称为二极管的额定工作电流,即实际工作中的最大允许电流。

与b点对应的电压vf称为二极管的(额定电流时的)正向管压降。

二极管伏安特性的物理原理是什么?

6楼:你问我就对了

二极管电流是电子和空穴的结合形成。在pn接合地区有一段很窄的没有电子或空穴的地区,如果加正向电压,这个地区就缩小,甚至电子和空穴开始结合形成电流。如果电压增高,结合速度快速增加。

所以形成非线性伏安特性。

二极管的伏安特性曲线有何特点

7楼:匿名用户

① 二极管具有单向导电性; ② 二极管的伏安特性具有非线性; ③ 二极管的伏安特性与温度有关。

二极管为什么会有这样的伏安特性

8楼:匿名用户

二极管的伏安特性表现为当电压超过0.7v时,二极管完全导通。

这时电子可以在外加电场里面自由移动形成电流这个电流的大小跟二极管本身物理特性有关

表现为电流值不能超过一定值

此时,电压继续加大,由于二极管本身特性决定电子不能继续增加,因此电流不会随着电压增大而继续增大。

至于你说的为什么电流增大而电压不增大

个人认为应该是理解成电压只是形成电场

是有电场来决定电流,而不是电流决定电场。

即电压达到一定程度后,电子可以自由移动,电流可以在极限值内增大故电流变化而电压不变。

二极管伏安特性

9楼:匿名用户

二极管伏安特性中的正向开启电压一般硅管是0.7v.如果二极管两端的电压达到这个值电流迅速增加。

加在二极管两端的电压不是无限的,当超过到它的耐压时就会击穿损坏。当二极管两端接上反向电压时,由于二极管的单向导电性通过二极管的反向电流是很小的,随着反向电压的增加当超过它的耐压时就会反向击穿,使二极管损坏。这个电压叫反向击穿电压。

10楼:匿名用户

二极管是由半导体材料制成的,带空穴的p(positive)型半导体和带自由电子的n(negative)型半导体被制作在同一块硅片上,在它们的交界面上自由电子和空穴由于浓度差发生运动(称之为扩散运动),相互结合失去电性,留下交界面附近的正负离子(这样一个区域称之为耗尽层),形成内部电场和空间电荷区,这种电场又进一步造成了空穴和电子的运动(称之为漂移运动),最终扩散运动和漂移运动达到动态平衡,空间电荷区不再扩大,内部电场保持稳定。二极管被加上一个与内部电场方向相反的电压(称之为正向导通电压)时,内电场就会被削弱,当外加电场大于内电场时,漂移运动就能源源不断地进行,形成电流,表现出导体的性质。参考《模拟电子技术基础》(童诗白 编)《电子技术基础:

模拟部分》(康华光 编)

11楼:匿名用户

我从哲学角度告诉你:

世界本身就是非线性的.

二极管的几种伏安特性适用于什么场合

12楼:

①理想二极管模型---正向导通时,压降为0;反向截止时,电流为0。

该模型通常用于防止电源反接和开关电路中;

②恒压降模型---当二极管工作电流较大时,其两端电压为常数(通常硅管取0.7v,锗管取0.2v)。

该模型通常利用二极管做简单的稳压源或者限幅电路使用;

③交流小信号模型--若电路中除有直流电源外,还有交流小信号,则对电路进行交流分析时,二极管可等效为交流电阻 rd=26mv/idq (idq为静态电流)。

该模型常用于检波电路。

13楼:匿名用户

二极管有正向伏安特性曲线和反向伏安特性曲线,正向特性曲线反映硅管或锗管等参数,反向特性曲线反映二极管的击穿电压等参数.

二极管伏安特性电流和电压的关系是什么

14楼:匿名用户

二极管伏安特性曲线

定义:在实际生活中,常用纵坐标表示电流i、横坐标表示电压u,这样画出的i-u图像叫做导体的伏安特性曲线。

某一个金属导体,在温度没有显著变化时,电阻是不变的,它的伏安特性曲线是通过坐标原点的直线,具有这种伏安特性的电学元件叫做线性元件。

欧姆定律是个实验定律,实验中用的都是金属导体。这个结论对其它导体是否适用,仍然需要实验的检验。实验表明,除金属外,欧姆定律对电解质溶液也适用,但对气态导体(如日光灯管、霓虹灯管中的气体)和半导体元件并不适用。

也就是说,在这些情况下电流与电压不成正比,这类电学元件叫做非线性元件。

二极管伏安特性曲线加在pn结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示:

正向特性:u>0的部分称为正向特性。

反向特性:u<0的部分称为反向特性。

反向击穿:当反向电压超过一定数值u(br)后,反向电流急剧增加,称之反向击穿。

势垒电容:耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容cb。

变容二极管:当pn结加反向电压时,cb明显随u的变化而变化,而制成各种变容二极管。如下图所示。

pn结的势垒电容

平衡少子:pn结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。

非平衡少子:pn结处于正向偏置时,从p区扩散到n区的空穴和从n区扩散到p区的自由电子均称为非平衡少子。

扩散电容:扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同,这种电容效应称为cd。

结电容:势垒电容与扩散电容之和为pn结的结电容cj。